| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第一章 绪论 | 第9-16页 |
| 1.1 研究背景及意义 | 第9-10页 |
| 1.2 无线收发机简介 | 第10-11页 |
| 1.3 低噪声放大器简介 | 第11-12页 |
| 1.4 低噪声放大器的国内外研究现状 | 第12-14页 |
| 1.5 论文研究工作和组织结构 | 第14-16页 |
| 第二章 硅基工艺低噪声放大器设计基础 | 第16-39页 |
| 2.1 噪声分析 | 第16-20页 |
| 2.1.1 热噪声 | 第18页 |
| 2.1.2 散粒噪声 | 第18-19页 |
| 2.1.3 闪烁噪声 | 第19页 |
| 2.1.4 爆米花噪声 | 第19页 |
| 2.1.5 MOS噪声模型 | 第19-20页 |
| 2.2 低噪声放大器的主要性能参数 | 第20-31页 |
| 2.2.1 噪声系数 | 第20-23页 |
| 2.2.2 1dB压缩点 | 第23-25页 |
| 2.2.3 三阶交调点（IP3） | 第25-26页 |
| 2.2.4 增益和S参数 | 第26-29页 |
| 2.2.5 稳定性 | 第29-31页 |
| 2.3 低噪声放大器的电路结构 | 第31-39页 |
| 2.3.1 源简并电感型共源放大器 | 第31-34页 |
| 2.3.2 输入端并联电阻的宽带放大器 | 第34-36页 |
| 2.3.3 共栅放大器 | 第36-37页 |
| 2.3.4 并联-串联反馈放大器 | 第37-39页 |
| 第三章 SiGe Bi CMOS工艺低噪声放大器的设计 | 第39-53页 |
| 3.1 电路图 | 第40页 |
| 3.2 工艺分析 | 第40-42页 |
| 3.3 噪声优化 | 第42-48页 |
| 3.3.1 最优集电极电流密度 | 第44-45页 |
| 3.3.2 晶体管的尺寸 | 第45-47页 |
| 3.3.3 低噪声放大器的第一级电路设计 | 第47-48页 |
| 3.4 线性补偿偏置电路 | 第48-51页 |
| 3.5 共射-共基结构的稳定性 | 第51-53页 |
| 第四章 CMOS工艺低噪声放大器设计 | 第53-59页 |
| 4.1 噪声优化 | 第53-57页 |
| 4.2 低噪声放大器原理图的设计 | 第57-59页 |
| 第五章 低噪声放大器版图设计与仿真测试 | 第59-69页 |
| 5.1 版图设计概述 | 第59-62页 |
| 5.1.1 天线效应 | 第60页 |
| 5.1.2 闩锁效应 | 第60-61页 |
| 5.1.3 金属走线承载电流能力 | 第61页 |
| 5.1.4 寄生参数 | 第61-62页 |
| 5.2 SiGe BiCMOS工艺低噪声放大器版图及后仿真测试结果 | 第62-65页 |
| 5.2.1 SiGe BiCMOS工艺低噪声放大器版图 | 第62-63页 |
| 5.2.2 SiGe BiCMOS工艺低噪声放大器后仿真 | 第63-65页 |
| 5.3 CMOS工艺低噪声放大器版图及后仿真结构 | 第65-69页 |
| 5.3.1 CMOS工艺低噪声放大器版图 | 第65-66页 |
| 5.3.2 CMOS工艺低噪声放大器的后仿 | 第66-68页 |
| 5.3.3 CMOS工艺低噪声放大器芯片图 | 第68-69页 |
| 第六章 总结与展望 | 第69-71页 |
| 6.1 总结 | 第69-70页 |
| 6.2 展望 | 第70-71页 |
| 参考文献 | 第71-74页 |
| 发表论文和参加科研情况说明 | 第74-75页 |
| 致谢 | 第75-76页 |
