| 摘要 | 第8-10页 |
| ABSTRACT | 第10-11页 |
| 第一章 绪论 | 第12-24页 |
| 1.1 引言 | 第12页 |
| 1.2 薄膜晶体管简介 | 第12-18页 |
| 1.2.1 薄膜晶体管的发展与应用 | 第13-15页 |
| 1.2.2 薄膜晶体管的结构 | 第15-16页 |
| 1.2.3 薄膜晶体管的工作原理 | 第16-18页 |
| 1.3 有源层IGZO的简介 | 第18-21页 |
| 1.4 柔性衬底PI的简介 | 第21-22页 |
| 1.5 本论文主要工作 | 第22-24页 |
| 第二章 样品制备与表征 | 第24-34页 |
| 2.1 磁控溅射 | 第24-27页 |
| 2.1.1 磁控溅射大致操作流程 | 第25页 |
| 2.1.2 磁控溅射原理与优势 | 第25-27页 |
| 2.2 电子束蒸发 | 第27-28页 |
| 2.3 热蒸发 | 第28页 |
| 2.4 旋涂设备 | 第28-29页 |
| 2.5 测试设备 | 第29-30页 |
| 2.6 扫描电子显微镜(SEM) | 第30-31页 |
| 2.7 a-IGZO TFT的表征方法 | 第31-33页 |
| 2.8 本章小结 | 第33-34页 |
| 第三章 柔性a-IGZO TFT制备与改进 | 第34-43页 |
| 3.1 准备事项 | 第34-35页 |
| 3.1.1 基片的清洗 | 第34-35页 |
| 3.1.2 PI溶液的配置 | 第35页 |
| 3.2 PI胶带与栅电极的改进 | 第35-37页 |
| 3.3 样品结构与工艺步骤 | 第37-38页 |
| 3.4 退火对TFT性能影响研究 | 第38-42页 |
| 3.5 本章小结 | 第42-43页 |
| 第四章 a-IGZO厚度与缓冲层材料对TFT的影响 | 第43-49页 |
| 4.1 a-IGZO的厚度对器件性能的影响 | 第43-45页 |
| 4.2 缓冲层材料对器件性能的影响 | 第45-48页 |
| 4.3 本章小结 | 第48-49页 |
| 第五章 柔性薄膜晶体管 | 第49-56页 |
| 5.1 以PI胶带为衬底的TFT器件 | 第49-52页 |
| 5.2 超薄柔性TFT | 第52-55页 |
| 5.3 本章小结 | 第55-56页 |
| 第六章 展望与总结 | 第56-57页 |
| 参考文献 | 第57-60页 |
| 致谢 | 第60-61页 |
| 学位论文评阅及答辩情况表 | 第61页 |