| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第1章 绪论 | 第14-39页 |
| 1.1 课题背景及研究的目的和意义 | 第14-17页 |
| 1.1.1 课题背景 | 第14-17页 |
| 1.1.2 研究的目的和意义 | 第17页 |
| 1.2 InMO_3(ZnO)_m体系研究现状及分析 | 第17-23页 |
| 1.2.1 IMZOm体系及其特有的实验特征 | 第17-21页 |
| 1.2.2 IMZOm体系理论研究现状 | 第21-23页 |
| 1.3 电子结构计算方法 | 第23-35页 |
| 1.3.1 密度泛函理论 | 第23-27页 |
| 1.3.2 交换关联泛函 | 第27-29页 |
| 1.3.3 赝势理论 | 第29-32页 |
| 1.3.4 Kohn-Sham方程的解法 | 第32-35页 |
| 1.4 纳米结构电子输运性质研究方法及分析 | 第35-37页 |
| 1.4.1 电子输运理论方法简介 | 第35-36页 |
| 1.4.2 MSM结构模型 | 第36-37页 |
| 1.5 本文的主要研究内容 | 第37-39页 |
| 第2章 In_2O_3(ZnO)_m晶体结构稳定性及形成机制 | 第39-67页 |
| 2.1 引言 | 第39-40页 |
| 2.2 总能计算及参数 | 第40-48页 |
| 2.2.1 总能计算 | 第40-47页 |
| 2.2.2 计算参数 | 第47-48页 |
| 2.3 IMZOm体系的调制结构模型和HRTEM模拟结果 | 第48-54页 |
| 2.4 IMZO结构稳定性第一性原理研究 | 第54-57页 |
| 2.5 IZOm结构稳定性和形成机制 | 第57-66页 |
| 2.5.1 IZOm的不同晶体结构模型 | 第57-60页 |
| 2.5.2 结构稳定性和形成机制 | 第60-66页 |
| 2.6 本章小结 | 第66-67页 |
| 第3章 In_2O_3(ZnO)_m电子结构研究 | 第67-86页 |
| 3.1 引言 | 第67-68页 |
| 3.2 电子结构计算与模型 | 第68-73页 |
| 3.2.1 电子结构计算 | 第68-72页 |
| 3.2.2 计算参数与结构模型 | 第72-73页 |
| 3.3 Zn O和In_2O_3的电子结构 | 第73-76页 |
| 3.4 IZOm体系的电子结构特征 | 第76-85页 |
| 3.4.1 态密度 | 第76-78页 |
| 3.4.2 能带结构 | 第78-81页 |
| 3.4.3 电子有效质量和最优化输运路径 | 第81-85页 |
| 3.5 本章小结 | 第85-86页 |
| 第4章 一维纳米体系MSM结构输运模型 | 第86-107页 |
| 4.1 引言 | 第86-87页 |
| 4.2 纳米线MSM结构模型 | 第87-92页 |
| 4.2.1 空间电荷区的势能分布 | 第87-90页 |
| 4.2.2 纳米线的子带结构 | 第90-92页 |
| 4.3 金属半导体接触端的电子输运特征 | 第92-100页 |
| 4.3.1 电流的能量分布 | 第94-98页 |
| 4.3.2 接触端区域的电子输运过程 | 第98-100页 |
| 4.4 MSM结构下的I-V特性曲线特征 | 第100-106页 |
| 4.4.1 MSM结构下不同单元位置的电子输运特征 | 第100-104页 |
| 4.4.2 MSM结构I-V特性曲线 | 第104-106页 |
| 4.5 本章小结 | 第106-107页 |
| 第5章 In_2O_3(ZnO)_m一维纳米结构电子输运性质 | 第107-120页 |
| 5.1 引言 | 第107-108页 |
| 5.2 实验结果及分析 | 第108-111页 |
| 5.3 MSM结构模拟 | 第111-113页 |
| 5.4 SCL输运机制 | 第113-115页 |
| 5.5 声子辅助的束缚电子跃迁输运模型 | 第115-119页 |
| 5.6 本章小结 | 第119-120页 |
| 结论 | 第120-121页 |
| 创新点 | 第121页 |
| 展望 | 第121-122页 |
| 参考文献 | 第122-137页 |
| 攻读博士学位期间发表的论文及其它成果 | 第137-141页 |
| 致谢 | 第141-143页 |
| 个人简历 | 第143页 |
