| 摘要 | 第4-6页 |
| abstract | 第6-7页 |
| 引言 | 第10-11页 |
| 1 绪论 | 第11-19页 |
| 1.1 相变存储器 | 第11-14页 |
| 1.1.1 相变存储器原理 | 第11页 |
| 1.1.2 相变存储材料 | 第11-13页 |
| 1.1.3 相变存储器研究现状 | 第13-14页 |
| 1.2 纳米结构 | 第14-18页 |
| 1.2.1 纳米薄膜结构 | 第14-15页 |
| 1.2.2 纳米线 | 第15-18页 |
| 1.3 本论文的主要研究思路与内容 | 第18-19页 |
| 2 纳米结构制备工艺与表征方法 | 第19-27页 |
| 2.1 薄膜材料的制备技术 | 第19-21页 |
| 2.1.1 热蒸发法 | 第19页 |
| 2.1.2 磁控溅射法 | 第19-20页 |
| 2.1.3 脉冲激光沉积(Pulsed Laser Deposition，PLD) | 第20-21页 |
| 2.2 一维纳米材料的制备技术 | 第21-24页 |
| 2.2.1 气-液-固（Vapour-liquid-solid, VLS）生长机制 | 第21-22页 |
| 2.2.2 溶液-液-固（Solid-liquid-Solid, SLS）生长机制 | 第22页 |
| 2.2.3 金属有机物化学气相沉积法（MOCVD） | 第22-23页 |
| 2.2.4 模版法（Templates） | 第23-24页 |
| 2.3 样品性能测试 | 第24-27页 |
| 3 Sb-Te-Se薄膜制备及性能研究 | 第27-35页 |
| 3.1 实验 | 第27-29页 |
| 3.2 结果与讨论 | 第29-33页 |
| 3.2.1 热稳定性与数据保持力 | 第29-30页 |
| 3.2.2 X射线衍射分析（XRD） | 第30-31页 |
| 3.2.3 拉曼(Raman)光谱分析 | 第31-32页 |
| 3.2.4 元素化学键分析 | 第32页 |
| 3.2.5 透射电镜（TEM）分析 | 第32-33页 |
| 3.3 本章小结 | 第33-35页 |
| 4 Ge-Sb-Se纳米线制备及性能研究 | 第35-44页 |
| 4.1 实验 | 第35-36页 |
| 4.2 结果与讨论 | 第36-43页 |
| 4.2.1 生长距离对材料形貌的影响 | 第36-37页 |
| 4.2.2 生长温度对材料形貌的影响 | 第37-38页 |
| 4.2.3 载流速率对材料形貌的影响 | 第38-39页 |
| 4.2.4 纳米线表征 | 第39-43页 |
| 4.3 本章小结 | 第43-44页 |
| 5 总结与展望 | 第44-46页 |
| 5.1 研究总结 | 第44-45页 |
| 5.2 展望 | 第45-46页 |
| 参考文献 | 第46-51页 |
| 在学研究成果 | 第51-52页 |
| 致谢 | 第52-53页 |
