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KDP晶体微水雾溶解抛光方法研究

摘要第4-5页
Abstract第5-6页
1 绪论第9-18页
    1.1 课题背景及意义第9-11页
    1.2 KDP晶体加工技术国内外研究现状第11-17页
        1.2.1 单点金刚石切削技术第11-13页
        1.2.2 超精密磨削技术第13页
        1.2.3 磁流变抛光技术与离子束抛光技术第13-15页
        1.2.4 无磨料水溶解抛光技术第15-17页
    1.3 课题来源及主要内容第17-18页
        1.3.1 课题来源第17页
        1.3.2 本文主要内容第17-18页
2 KDP晶体微水雾溶解抛光方法与抛光系统研制第18-32页
    2.1 KDP晶体微水雾溶解抛光局部平坦化机理研究第18-23页
        2.1.1 KDP晶体潮解现象第18-19页
        2.1.2 KDP晶体表面溶解腐蚀试验第19-22页
        2.1.3 KDP晶体微水雾溶解抛光局部平坦化原理的揭示第22-23页
    2.2 KDP晶体微水雾溶解抛光新原理的提出第23-26页
        2.2.1 水量控制方法第23-24页
        2.2.2 微水雾气体的通入第24-25页
        2.2.3 抛光工具的运动方式第25-26页
    2.3 微水雾发生方法的实现第26-31页
        2.3.1 超声雾化原理第26-27页
        2.3.2 微水雾颗粒分布特性研究第27-31页
    2.4 小结第31-32页
3 KDP晶体微水雾溶解抛光工具与去除函数研究第32-42页
    3.1 KDP晶体微水雾溶解抛光工具研制第32-35页
        3.1.1 抛光工具研制第32-33页
        3.1.2 抛光工具性能试验第33-35页
    3.2 去除函数模型的建立第35-39页
        3.2.1 去除函数理论基础第35-37页
        3.2.2 去除函数建模第37-38页
        3.2.3 常系数k分析第38-39页
    3.3 驻留时间函数求解第39-40页
    3.4 小结第40-42页
4 KDP晶体微水雾溶解抛光试验研究第42-58页
    4.1 不同抛光参数对材料去除率影响的试验研究第42-46页
        4.1.1 试验设计第42-43页
        4.1.2 微水雾气体含水量对材料去除率的影响第43-44页
        4.1.3 抛光压力对材料去除率的影响第44-45页
        4.1.4 抛光装置运动速度对材料去除率的影响第45-46页
    4.2 不同抛光参数对工件表面粗糙度影响的试验研究第46-51页
        4.2.1 试验准备第46-47页
        4.2.2 微水雾气体含水量对工件表面粗糙度影响第47-48页
        4.2.3 抛光压力对工件表面粗糙度影响第48-49页
        4.2.4 抛光装置运动速度对工件表面粗糖度的影响第49-50页
        4.2.5 初始表面质量对抛光后工件表面粗糙度的影响第50-51页
    4.3 去除函数试验验证第51-53页
        4.3.1 k系数的计算第51页
        4.3.2 去除函数试验验证第51-53页
    4.4 KDP晶体表面平整化加工试验第53-56页
        4.4.1 试验设计第53-54页
        4.4.2 试验结果与分析第54-56页
    4.5 小结第56-58页
结论第58-60页
参考文献第60-65页
攻读硕士学位期间发表学术论文情况第65-66页
致谢第66-67页

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