| 摘要 | 第3-5页 |
| ABSTRACT | 第5-6页 |
| 第一章 绪论 | 第9-21页 |
| 1.1 引言 | 第9页 |
| 1.2 GaN材料的基本性质 | 第9-12页 |
| 1.2.1 GaN晶体结构 | 第9-10页 |
| 1.2.2 GaN物理化学性质 | 第10-11页 |
| 1.2.3 GaN电学性质 | 第11-12页 |
| 1.3 GaN材料的外延生长 | 第12-14页 |
| 1.3.1 衬底选择 | 第12-13页 |
| 1.3.2 外延生长方式 | 第13-14页 |
| 1.4 GaN基LED | 第14-18页 |
| 1.4.1 GaN基LED发展简史 | 第14页 |
| 1.4.2 GaN基LED存在问题 | 第14-15页 |
| 1.4.3 横向外延过生长特性及生长方法 | 第15-16页 |
| 1.4.4 三维GaN微纳结构特性及制备方法 | 第16-18页 |
| 1.5 本文选题依据及主要工作 | 第18-21页 |
| 第二章 MOCVD生长模式及材料表征手段 | 第21-31页 |
| 2.0 MOCVD生长系统 | 第21-22页 |
| 2.1 MOCVD两步法外延生长GaN | 第22-24页 |
| 2.2 材料表征方法 | 第24-31页 |
| 2.2.1 扫描电子显微镜 | 第24-25页 |
| 2.2.2 X射线光电子能谱 | 第25-26页 |
| 2.2.3 原子力显微镜 | 第26-27页 |
| 2.2.4 高分辨X射线衍射 | 第27-28页 |
| 2.2.5 霍尔测试 | 第28页 |
| 2.2.6 光致发光谱 | 第28-31页 |
| 第三章 原位沉积SiN_x插入层改善GaN薄膜晶体质量的研究 | 第31-47页 |
| 3.1 引言 | 第31-32页 |
| 3.2 样品制备 | 第32-33页 |
| 3.3 结果与讨论 | 第33-45页 |
| 3.3.1 SiN_x插入层沉积的研究 | 第33页 |
| 3.3.2 SiN_x沉积时间对GaN薄膜的影响 | 第33-39页 |
| 3.3.3 SiN_x不同沉积位置对GaN薄膜的影响 | 第39-41页 |
| 3.3.4 GaN不同生长模式对GaN薄膜的影响 | 第41-44页 |
| 3.3.5 生长机理研究 | 第44-45页 |
| 3.4 本章小结 | 第45-47页 |
| 第四章 在原位沉积的SiN_x插入层上生长类金字塔状GaN微米结构的研究 | 第47-57页 |
| 4.1 引言 | 第47页 |
| 4.2 样品制备 | 第47-49页 |
| 4.3 结果与讨论 | 第49-55页 |
| 4.3.1 SiN_x插入层沉积的研究 | 第49页 |
| 4.3.2 生长温度对类金字塔状GaN微米结构形貌的影响 | 第49-51页 |
| 4.3.3 生长时间对类金字塔状GaN微米结构形貌的影响 | 第51-53页 |
| 4.3.4 反应压力及V/III比对类金字塔状GaN微米结构形貌的影响 | 第53-54页 |
| 4.3.5 KOH溶液腐蚀对类金字塔状微米锥的形貌影响 | 第54-55页 |
| 4.4 本章小结 | 第55-57页 |
| 第五章 结论与展望 | 第57-59页 |
| 5.1 结论 | 第57-58页 |
| 5.2 展望 | 第58-59页 |
| 参考文献 | 第59-67页 |
| 致谢 | 第67-69页 |
| 攻读硕士期间取得的科研成果 | 第69页 |
