| 摘要 | 第3-4页 |
| ABSTRACT | 第4-5页 |
| 第一章 绪论 | 第8-23页 |
| 1.1 引言 | 第8-9页 |
| 1.2 太阳能制氢研究进展 | 第9-10页 |
| 1.3 光电化学分解水制氢的概述 | 第10-13页 |
| 1.3.1 光电化学分解水制氢的基本原理 | 第10-11页 |
| 1.3.2 光电催化半导体材料的研究现状 | 第11-12页 |
| 1.3.3 光电化学分解水制氢的现存问题 | 第12-13页 |
| 1.4 三氧化钨光电催化材料 | 第13-21页 |
| 1.4.1 三氧化钨的晶体结构 | 第14-15页 |
| 1.4.2 三氧化钨薄膜的制备方法 | 第15-20页 |
| 1.4.2.1 溶胶-凝胶法 | 第15-16页 |
| 1.4.2.2 化学气相沉积法 | 第16-17页 |
| 1.4.2.3 水热法 | 第17-19页 |
| 1.4.2.4 阳极氧化法 | 第19页 |
| 1.4.2.5 磁控溅射法 | 第19-20页 |
| 1.4.3 三氧化钨光电极的研究进展 | 第20-21页 |
| 1.5 课题的提出 | 第21-23页 |
| 第二章 实验部分 | 第23-28页 |
| 2.1 实验原料和设备 | 第23-24页 |
| 2.1.1 实验原料 | 第23-24页 |
| 2.1.2 实验设备 | 第24页 |
| 2.2 实验过程 | 第24-26页 |
| 2.2.1 实验方案设计 | 第24-25页 |
| 2.2.2 实验内容及步骤 | 第25-26页 |
| 2.2.2.1 不同形貌WO_3的制备 | 第25页 |
| 2.2.2.2 WO_3/CdS NRs的制备 | 第25页 |
| 2.2.2.3 WO_3/Sb_2S_3 NRs的制备 | 第25-26页 |
| 2.3 性能分析测试 | 第26-28页 |
| 2.3.1 X射线衍射分析(XRD) | 第26页 |
| 2.3.2 扫描电子显微镜分析(SEM) | 第26页 |
| 2.3.3 能谱分析(EDS) | 第26页 |
| 2.3.4 透射电子显微镜分析(TEM) | 第26页 |
| 2.3.5 紫外可见吸收光谱分析(UV-Vis) | 第26-27页 |
| 2.3.6 光电化学性能分析(PEC) | 第27-28页 |
| 第三章 不同形貌WO_3光电极的制备及其光电化学性能研究 | 第28-36页 |
| 3.1 引言 | 第28-29页 |
| 3.2 不同形貌WO_3的物相及形成机理 | 第29-33页 |
| 3.2.1 不同形貌WO_3的形貌及物相表征 | 第29-31页 |
| 3.2.2 不同形貌WO_3的形成机理 | 第31-33页 |
| 3.3 不同形貌WO_3的光电化学性能 | 第33-35页 |
| 3.3.1 不同形貌WO_3的光学性能比较 | 第33-34页 |
| 3.3.2 不同形貌WO_3的光电性能比较 | 第34-35页 |
| 3.4 本章小结 | 第35-36页 |
| 第四章 WO_3基金属硫化物异质结复合结构的构筑及其光电化学性能 | 第36-52页 |
| 4.1 引言 | 第36-37页 |
| 4.2 WO_3/CdS NRs异质结复合结构的构筑及其光电化学性能 | 第37-44页 |
| 4.2.1 WO_3/CdS NRs异质结的制备 | 第37-38页 |
| 4.2.2 WO_3/CdS NRs的形貌及物相表征 | 第38-40页 |
| 4.2.3 WO_3/CdS NRs光电极的光电化学性能 | 第40-44页 |
| 4.2.3.1 WO_3/CdS NRs光电极的光学性能 | 第40-41页 |
| 4.2.3.2 WO_3/CdS NRs光电极的光电性能 | 第41-44页 |
| 4.3 WO_3/Sb_2S_3 NRs异质结复合结构的构筑及其光电化学性能 | 第44-51页 |
| 4.3.1 WO_3/Sb_2S_3 NRs异质结的制备 | 第44-45页 |
| 4.3.2 WO_3/Sb_2S_3 NRs的形貌及物相表征 | 第45-47页 |
| 4.3.3 WO_3/Sb_2S_3 NRs光电极的光电化学性能 | 第47-51页 |
| 4.3.3.1 WO_3/Sb_2S_3 NRs光电极的光学性能 | 第47页 |
| 4.3.3.2 WO_3/Sb_2S_3 NRs光电极的光电性能 | 第47-51页 |
| 4.4 本章小结 | 第51-52页 |
| 第五章 结论 | 第52-53页 |
| 第六章 展望 | 第53-54页 |
| 参考文献 | 第54-65页 |
| 攻读硕士期间发表论文和参加科研情况说明 | 第65-67页 |
| 致谢 | 第67-68页 |
