| 摘要 | 第4-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第9-26页 |
| 1.1 Ⅲ族半导体材料的发展概述 | 第9页 |
| 1.2 GaN材料的晶体结构和基本性质 | 第9-12页 |
| 1.2.1 GaN材料的晶体结构 | 第9-11页 |
| 1.2.2 GaN材料的化学性质 | 第11-12页 |
| 1.2.3 GaN材料的电学性质 | 第12页 |
| 1.2.4 GaN材料的光学性质 | 第12页 |
| 1.3 GaN纳米材料的制备方法 | 第12-19页 |
| 1.3.1 催化剂辅助生长法 | 第12-13页 |
| 1.3.2 无催化剂直接生长法 | 第13-14页 |
| 1.3.3 无掩膜直接刻蚀 | 第14-16页 |
| 1.3.4 自组织形成纳米颗粒做掩膜制作GaN纳米柱 | 第16页 |
| 1.3.5 阳极氧化铝模板 | 第16-17页 |
| 1.3.6 纳米压印模板 | 第17-19页 |
| 1.3.7 光刻 | 第19页 |
| 1.4 本文的主要研究内容 | 第19-21页 |
| 参考文献 | 第21-26页 |
| 第二章 GaN纳米柱的表征方法 | 第26-33页 |
| 2.1 扫描电子显微镜(SEM) | 第26页 |
| 2.2 拉曼光谱(Raman) | 第26-27页 |
| 2.3 光致发光谱(PL) | 第27-32页 |
| 参考文献 | 第32-33页 |
| 第三章 GaN纳米柱的制备及其发光特性 | 第33-44页 |
| 3.1 引言 | 第33-34页 |
| 3.2 实验流程图如下所示 | 第34页 |
| 3.3 不同刻蚀条件对GaN纳米柱的影响 | 第34-37页 |
| 3.3.1 刻蚀后的表面形貌 | 第34-35页 |
| 3.3.2 刻蚀速率表征 | 第35-36页 |
| 3.3.3 光学特性 | 第36-37页 |
| 3.4 KOH腐蚀对发光特性的影响 | 第37-41页 |
| 参考文献 | 第41-44页 |
| 第四章 总结和展望 | 第44-45页 |
| 致谢 | 第45-46页 |
| 硕士期间发表的论文和参加的会议 | 第46-47页 |