| 致谢 | 第5-6页 |
| 摘要 | 第6-8页 |
| ABSTRACT | 第8-9页 |
| 1 绪论 | 第12-22页 |
| 1.1 课题研究目的 | 第12页 |
| 1.2 光学吸收器件的研究背景 | 第12-17页 |
| 1.2.1 光学吸收器件的研究意义 | 第12-13页 |
| 1.2.2 光学吸收器件的研究进展 | 第13-17页 |
| 1.3 光学透射器件的研究背景 | 第17-20页 |
| 1.3.1 光学透射器件的研究意义 | 第17-18页 |
| 1.3.2 光学透射器件的研究进展 | 第18-20页 |
| 1.4 本论文的研究内容与创新点 | 第20-22页 |
| 2 金属-电介质-金属微纳结构光学特性的理论 | 第22-40页 |
| 2.1 表面等离激元 | 第22-28页 |
| 2.2 吸收材料内部的热损耗 | 第28-29页 |
| 2.3 等效介质方法 | 第29-32页 |
| 2.4 金属-电介质-金属微纳结构的数值模拟方法 | 第32-38页 |
| 2.4.1 计算方法和常用软件 | 第33页 |
| 2.4.2 COMSOL Multiphysics的仿真 | 第33-38页 |
| 2.5 本章小结 | 第38-40页 |
| 3 微纳器件的制备与表征 | 第40-54页 |
| 3.1 薄膜的制备方法 | 第40-41页 |
| 3.1.1 电子束蒸镀法 | 第40-41页 |
| 3.1.2 磁控溅射法 | 第41页 |
| 3.2 微纳结构的加工 | 第41-51页 |
| 3.2.1 聚焦离子束刻蚀平台 | 第42-49页 |
| 3.2.2 电子束曝光系统 | 第49-51页 |
| 3.3 光学特性测试 | 第51-52页 |
| 3.4 本章小结 | 第52-54页 |
| 4 基于MIM结构的宽带吸收器 | 第54-72页 |
| 4.1 基于钨宽带吸收器的仿真 | 第54-56页 |
| 4.1.1 一维结构仿真 | 第54-55页 |
| 4.1.2 二维结构仿真 | 第55-56页 |
| 4.1.3 结论 | 第56页 |
| 4.2 高折射率与低折射率材料吸收特性的比较 | 第56-65页 |
| 4.2.1 两种材料吸收特性比较 | 第57-59页 |
| 4.2.2 两种材料折射率的比较 | 第59-60页 |
| 4.2.3 两种材料电场、磁场、热场分布比较 | 第60-64页 |
| 4.2.4 改变电介质层厚度对两种器件的影响 | 第64-65页 |
| 4.2.5 结论 | 第65页 |
| 4.3 基于单一结构的钨宽带吸收器的制备 | 第65-67页 |
| 4.3.1 使用电子束曝光制备器件 | 第66页 |
| 4.3.2 使用聚焦离子束刻蚀 | 第66-67页 |
| 4.3.3 结论 | 第67页 |
| 4.4 基于相变材料的MIM吸收器 | 第67-70页 |
| 4.5 本章小结 | 第70-72页 |
| 5 基于MIM结构的金增透器件 | 第72-82页 |
| 5.1 作用于连续金膜的增透器件 | 第72-80页 |
| 5.1.1 增透器件的仿真效果 | 第72-77页 |
| 5.1.2 增透器件的实验效果 | 第77-80页 |
| 5.1.3 结论 | 第80页 |
| 5.2 具有滤波效果的透射器件的仿真 | 第80-81页 |
| 5.3 本章小结 | 第81-82页 |
| 6 总结与展望 | 第82-84页 |
| 参考文献 | 第84-95页 |
| 作者简介 | 第95-96页 |