| 摘要 | 第1-3页 |
| Abstract | 第3-7页 |
| 第一章 绪论 | 第7-13页 |
| ·概述 | 第7-9页 |
| ·SiGe HBTs辐射效应国内外研究现状 | 第9-11页 |
| ·论文主要研究工作及内容安排 | 第11-13页 |
| 第二章 辐射环境及基本辐射效应 | 第13-28页 |
| ·辐射环境 | 第13-19页 |
| ·空间辐射环境 | 第13-19页 |
| ·地面辐射环境 | 第19页 |
| ·粒子与半导体材料的相互作用 | 第19-24页 |
| ·带电粒子与半导体材料的相互作用 | 第20-22页 |
| ·光子与半导体材料的相互作用 | 第22-24页 |
| ·基本辐射效应 | 第24-27页 |
| ·总剂量辐射效应 | 第24-25页 |
| ·单粒子效应 | 第25-26页 |
| ·位移损伤效应 | 第26-27页 |
| ·本章小结 | 第27-28页 |
| 第三章 SiGe HBTs器件物理和辐照试验方法 | 第28-37页 |
| ·SiGe技术的发展 | 第28-30页 |
| ·SiGe HBTs器件物理 | 第30-34页 |
| ·SiGe HBTs的直流特性 | 第30-31页 |
| ·SiGe HBTs的低温特性 | 第31-33页 |
| ·SiGe HBTs的频率特性 | 第33-34页 |
| ·SiGe HBTs辐照实验方法 | 第34-36页 |
| ·SiGe HBTs辐照实验样品 | 第34页 |
| ·SiGe HBTs辐照实验方案 | 第34-36页 |
| ·本章小结 | 第36-37页 |
| 第四章 不同偏置下SiGe HBTs总剂量辐射效应 | 第37-55页 |
| ·国产SiGe HBTs器件KT1151的总剂量辐射效应 | 第37-40页 |
| ·国产SiGe HBTs器件KT9041的总剂量辐射效应 | 第40-43页 |
| ·国外SiGe HBTs器件BFP640ESD的总剂量辐射效应 | 第43-45页 |
| ·国外SiGe HBTs器件NESG260234的总剂量辐射效应 | 第45-47页 |
| ·SiGe HBTs总剂量辐射损伤机理 | 第47-54页 |
| ·电离辐射缺陷 | 第47-50页 |
| ·基极电流退化的机理 | 第50-52页 |
| ·电流增益退化的机理 | 第52页 |
| ·不同偏置时的辐射损伤机理 | 第52-54页 |
| ·本章小结 | 第54-55页 |
| 第五章 不同剂量率下SiGe HBTs总剂量辐射效应 | 第55-68页 |
| ·不同剂量率下SiGe HBTs辐射效应 | 第55-64页 |
| ·国产SiGe HBTs器件KT1151的剂量率效应 | 第55-58页 |
| ·国产SiGe HBTs器件KT9041的剂量率效应 | 第58-60页 |
| ·国外SiGe HBTs器件BFP640ESD的剂量率效应 | 第60-62页 |
| ·国外SiGe HBTs器件NESG260234的剂量率效应 | 第62-64页 |
| ·SiGe HBTs剂量率效应机理分析 | 第64-67页 |
| ·偏置对SiGe HBTs低剂量率辐射损伤的影响 | 第64-65页 |
| ·不同SiGe HBTs器件低剂量率辐射损伤机理 | 第65-67页 |
| ·本章小结 | 第67-68页 |
| 第六章 结论与展望 | 第68-70页 |
| ·论文的主要结论 | 第68-69页 |
| ·研究工作展望 | 第69-70页 |
| 参考文献 | 第70-76页 |
| 发表文章 | 第76-78页 |
| 致谢 | 第78-79页 |
