| 致谢 | 第1-5页 |
| 摘要 | 第5-7页 |
| Abstract | 第7-11页 |
| 1 引言 | 第11-29页 |
| ·论文选题依据 | 第11-14页 |
| ·半导体技术 | 第11-12页 |
| ·半导体材料 | 第12-14页 |
| ·碳化硅的组成与性能 | 第14-15页 |
| ·碳化硅晶体加工工艺 | 第15页 |
| ·化学机械抛光技术 | 第15-18页 |
| ·固结磨料抛光垫的介绍 | 第18-24页 |
| ·抛光垫的组织结构 | 第18-21页 |
| ·抛光垫的表面纹理图案 | 第21-24页 |
| ·固结磨料抛光垫制备工艺的研究现状 | 第24-27页 |
| ·微复制技术 | 第24页 |
| ·丝网印刷技术 | 第24-25页 |
| ·UV光固化技术 | 第25-26页 |
| ·热固化技术 | 第26-27页 |
| ·低温冰冻技术 | 第27页 |
| ·本论文主要研究内容 | 第27-29页 |
| 2.实验条件 | 第29-35页 |
| ·制备抛光垫所用的设备 | 第29-30页 |
| ·碳化硅CMP实验条件 | 第30-31页 |
| ·检测仪器及设备 | 第31-32页 |
| ·SiC晶片的介绍 | 第32-33页 |
| ·加工性能的评判指标 | 第33-35页 |
| 3 SiC单晶片固结磨料抛光垫固化工艺及组成成分的研究 | 第35-48页 |
| ·SiC单晶片固结磨料抛光垫固化工艺的选择 | 第35-40页 |
| ·UV光固化 | 第35-37页 |
| ·热固化 | 第37-40页 |
| ·SiC单晶片固结磨料抛光垫成份的选择 | 第40-44页 |
| ·油性树脂 | 第42页 |
| ·水性树脂 | 第42-43页 |
| ·聚氨酯粉末 | 第43-44页 |
| ·光固化参数的选择 | 第44-47页 |
| ·光固化距离 | 第45页 |
| ·光固化时间 | 第45-46页 |
| ·固化厚度 | 第46-47页 |
| ·本章小结 | 第47-48页 |
| 4 SiC单晶片固结磨料抛光垫制备工艺的研究 | 第48-57页 |
| ·SiC单晶片固结磨料抛光垫制备的工艺流程 | 第48-49页 |
| ·SiC单晶片固结磨料抛光垫的模具 | 第49-50页 |
| ·不同磨粒含量对制备固结磨料抛光垫的影响 | 第50-51页 |
| ·SiC单晶片固结磨料抛光垫制备过程的优化 | 第51-53页 |
| ·分层固化 | 第53-56页 |
| ·本章小结 | 第56-57页 |
| 5 固结磨料化学机械SiC单晶片的抛光实验 | 第57-68页 |
| ·SiC单晶片固结磨料抛光垫结构的介绍 | 第57页 |
| ·对比试验 | 第57-62页 |
| ·不同固结磨料抛光垫的表面沟槽的对比试验 | 第62-65页 |
| ·不同转速的对比试验 | 第65-66页 |
| ·不同抛光垫凸台高度的对比试验 | 第66页 |
| ·本章小结 | 第66-68页 |
| 6 总结与展望 | 第68-70页 |
| ·总结 | 第68页 |
| ·展望 | 第68-70页 |
| 参考文献 | 第70-75页 |
| 作者简历 | 第75-76页 |
| 学位论文数据集 | 第76页 |