| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-10页 |
| 1 绪论 | 第10-25页 |
| ·引言 | 第10-11页 |
| ·阻变存储器简介 | 第11-21页 |
| ·电致阻变现象及其应用 | 第11-12页 |
| ·阻变机制 | 第12-21页 |
| ·阻变存储器研究现状 | 第21-23页 |
| ·阻变存储器材料体系 | 第21-23页 |
| ·阻变特性的改善方法 | 第23页 |
| ·选题的依据存储器 | 第23-24页 |
| ·本选题研究的主要内容、特色及难点 | 第24-25页 |
| ·课题主要内容 | 第24页 |
| ·课题特色及难点 | 第24-25页 |
| 2 RRAM器件的制备及表征 | 第25-30页 |
| ·薄膜制备方法 | 第25-27页 |
| ·磁控溅射技术 | 第25页 |
| ·脉冲激光沉积技术(PLD) | 第25-26页 |
| ·快速热退火技术(RTA) | 第26页 |
| ·光学曝光技术 | 第26-27页 |
| ·表征方法 | 第27-30页 |
| ·X射线衍射(XRD) | 第27页 |
| ·X射线光电子能谱(XPS) | 第27页 |
| ·透射电子显微镜(TEM) | 第27-28页 |
| ·紫外-可见光分光光度法(UV-VIS) | 第28页 |
| ·原子力扫描 | 第28页 |
| ·电流-电压特性(I-V) | 第28-30页 |
| 3 快速热退火对Pt/Dy_2O_3/Pt器件阻变特性的影响 | 第30-40页 |
| ·引言 | 第30页 |
| ·样品制备 | 第30-31页 |
| ·Pt/Dy_2O_3/Pt电学性能表征及电阻转变机制分析 | 第31-33页 |
| ·快速热退火对Pt/Dy_2O_3/Pt阻变特性的影响 | 第33-35页 |
| ·快速热退火对Dy_2O_3薄膜结构的影响 | 第35-38页 |
| ·本章小结 | 第38-40页 |
| 4 ITO/Dy_2O_3/ITO透明阻变器件的制备及性能表征 | 第40-51页 |
| ·引言 | 第40页 |
| ·样品制备 | 第40-42页 |
| ·ITO/Dy_2O_3/ITO透明阻变器件光学特性 | 第42-43页 |
| ·ITO/Dy_2O_3/ITO透明阻变器件电学特性 | 第43-47页 |
| ·ITO/Dy_2O_3/ITO透明阻变器件阻变机制分析 | 第47-50页 |
| ·本章小结 | 第50-51页 |
| 结论 | 第51-52页 |
| 参考文献 | 第52-57页 |
| 攻读硕士学位期间取得的学术成果 | 第57-58页 |
| 致谢 | 第58页 |
