| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-10页 |
| 第1章 引言 | 第10-15页 |
| ·分子电子学的产生背景 | 第10页 |
| ·分子电子学的实验研究基础 | 第10-13页 |
| ·分子电子学的理论模拟研究进展 | 第13-14页 |
| ·本论文主要的研究内容及研究意义 | 第14-15页 |
| 第2章 理论计算方法 | 第15-24页 |
| ·密度泛函理论 | 第15-18页 |
| ·Thomas-Fermi 模型 | 第15-16页 |
| ·Hohenberg-Kohn 定理 | 第16页 |
| ·Kohn-Sham 方程 | 第16-17页 |
| ·交换相关泛函 | 第17页 |
| ·外部势 | 第17-18页 |
| ·格林函数方法 | 第18-21页 |
| ·平衡格林函数方法 | 第19-20页 |
| ·非平衡格林函数方法 | 第20-21页 |
| ·分子器件电子输运性质的第一性原理计算 | 第21-23页 |
| ·Landauer-Büttiker 公式 | 第21页 |
| ·分子导体电子输运性质的第一性原理计算方案 | 第21-23页 |
| ·操作要点 | 第23-24页 |
| 第3章 二环戊二烯基与 C 和 Si 原子配位化合物分子电子输运性质研究 | 第24-34页 |
| ·研究现状 | 第24页 |
| ·模型和计算细节 | 第24-26页 |
| ·结果分析 | 第26-33页 |
| ·分子的几何结构特性 | 第26-27页 |
| ·零偏压输运性质 | 第27-28页 |
| ·有限偏压输运性质 | 第28-33页 |
| ·本章小结 | 第33-34页 |
| 第4章 双二茂钙分子电子输运性质的研究 | 第34-40页 |
| ·研究现状 | 第34-35页 |
| ·计算细节 | 第35页 |
| ·结果分析 | 第35-39页 |
| ·分子零偏压输运性质 | 第35-36页 |
| ·分子有限偏压输运性质 | 第36-39页 |
| ·本章小结 | 第39-40页 |
| 第5章 双二茂铍和双二茂镁分子电子输运性质的研究 | 第40-46页 |
| ·研究现状 | 第40页 |
| ·模型和计算方法 | 第40-41页 |
| ·结果分析 | 第41-45页 |
| ·分子的零偏压输运性质 | 第41-43页 |
| ·分子的有限偏压输运性质 | 第43-45页 |
| ·本章小结 | 第45-46页 |
| 第6章 总结与展望 | 第46-48页 |
| ·论文的主要内容总结 | 第46-47页 |
| ·展望 | 第47-48页 |
| 参考文献 | 第48-55页 |
| 致谢 | 第55-56页 |
| 攻读硕士学位期间取得的科研成果 | 第56页 |