| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-9页 |
| 目录 | 第9-13页 |
| 第一章 绪论 | 第13-25页 |
| ·研究背景及意义 | 第13-18页 |
| ·国内外研究现状 | 第18-22页 |
| ·国外研究现状 | 第19-21页 |
| ·国内研究现状 | 第21-22页 |
| ·研究难点与研究思路 | 第22-23页 |
| ·主要研究内容 | 第23-25页 |
| 第二章 4H-SiC探测器的物理设计与制备技术研究 | 第25-37页 |
| ·引言 | 第25页 |
| ·探测器物理设计 | 第25-29页 |
| ·探测器制备工艺 | 第29-32页 |
| ·探测器测试与分析 | 第32-35页 |
| ·金属-半导体接触理论 | 第32-33页 |
| ·测试与分析 | 第33-35页 |
| ·本章小结 | 第35-37页 |
| 第三章 4H-SiC探测器电荷收集性能研究 | 第37-58页 |
| ·引言 | 第37-38页 |
| ·载流子在晶体中迁移过程 | 第38-41页 |
| ·α粒子与4H-SiC材料的相互作用机制 | 第38-40页 |
| ·载流子的迁移与探测器电信号 | 第40-41页 |
| ·电荷收集效率的实验研究 | 第41-50页 |
| ·测量原理与实验布局 | 第41-45页 |
| ·实验结果与讨论 | 第45-50页 |
| ·快中子辐照对电荷收集效率影响 | 第50-57页 |
| ·实验原理与实验布局 | 第50页 |
| ·实验结果与讨论 | 第50-57页 |
| ·本章小结 | 第57-58页 |
| 第四章 4H-SiC探测器致电离粒子辐射响应研究 | 第58-79页 |
| ·引言 | 第58-59页 |
| ·α粒子的探测性能研究 | 第59-68页 |
| ·实验原理与实验布局 | 第59-61页 |
| ·实验结果与讨论 | 第61-68页 |
| ·γ射线的响应研究 | 第68-78页 |
| ·γ射线与4H-SiC材料的相互作用机制 | 第68-69页 |
| ·实验原理与实验布局 | 第69-71页 |
| ·实验结果与讨论 | 第71-78页 |
| ·本章小结 | 第78-79页 |
| 第五章 4H-SiC中子探测器能谱测量技术及应用研究 | 第79-91页 |
| ·引言 | 第79-80页 |
| ·探测器工作原理 | 第80-82页 |
| ·探测器设计与制作 | 第82-87页 |
| ·探测器测试 | 第87-90页 |
| ·实验原理与布局 | 第87页 |
| ·实验结果与讨论 | 第87-90页 |
| ·本章小结 | 第90-91页 |
| 第六章 4H-SiC中子探测器稳态中子探测技术及应用研究 | 第91-117页 |
| ·引言 | 第91页 |
| ·探测器工作原理 | 第91-94页 |
| ·探测器设计 | 第94-105页 |
| ·中子转换层设计 | 第95-104页 |
| ·4H-SiC器件设计 | 第104-105页 |
| ·慢中子探测实验 | 第105-110页 |
| ·实验原理与布局 | 第105-108页 |
| ·实验结果与讨论 | 第108-110页 |
| ·快中子探测实验 | 第110-116页 |
| ·实验原理与布局 | 第110-111页 |
| ·实验结果与讨论 | 第111-116页 |
| ·本章小结 | 第116-117页 |
| 第七章 4H-SiC中子探测器脉冲中子探测技术及应用研究 | 第117-150页 |
| ·引言 | 第117-118页 |
| ·脉冲电流型探测器工作原理与探测系统设计 | 第118-123页 |
| ·物理模型与工作原理 | 第118-121页 |
| ·系统设计 | 第121-123页 |
| ·采用碳化硅探测器测量脉冲波形 | 第123-135页 |
| ·CFBR-Ⅱ堆及其脉冲波形描述 | 第123-124页 |
| ·探测器与实验布局 | 第124-130页 |
| ·实验结果与讨论 | 第130-135页 |
| ·脉冲波形信号影响因素研究 | 第135-148页 |
| ·探测灵敏度 | 第135-140页 |
| ·波形参数 | 第140-143页 |
| ·抗辐射特性 | 第143-146页 |
| ·探测器n/γ分辨本领 | 第146-148页 |
| ·本章小结 | 第148-150页 |
| 第八章 结论与后续研究方向 | 第150-155页 |
| ·主要结论 | 第150-153页 |
| ·本课题创新点 | 第153-154页 |
| ·后续研究方向 | 第154-155页 |
| 致谢 | 第155-156页 |
| 参考文献 | 第156-163页 |
| 附录 | 第163-164页 |
