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高分子辅助化学溶液沉积法制备涂层导体缓冲层长带

摘要第1-8页
Abstract第8-14页
第1章 绪论第14-51页
   ·课题背景第14-17页
     ·国外研究现状第14-16页
     ·国内研究现状第16页
     ·发展动态分析第16-17页
   ·涂层导体简介第17-24页
     ·涂层导体基本结构第17-20页
     ·缓冲层材料第20-23页
     ·涂层导体的制备方法第23-24页
     ·高温超导材料的应用第24页
   ·实验方法及机理第24-48页
     ·自氧化外延法(SOE)第24-32页
     ·化学溶液沉积方法第32-48页
   ·本论文主要研究内容和结构第48-51页
     ·研究内容第48-49页
     ·论文结构第49-51页
第2章 实验方案设计和表征手段第51-63页
   ·实验方案设计第51-59页
     ·NiO(200)/SmBiO_3双层缓冲层的制备第51-53页
     ·RE:CeO_2缓冲层在NiW基底上的制备第53-59页
   ·分析检测手段第59-62页
     ·差热分析第59页
     ·样品的晶体结构分析第59页
     ·样品的织构分析第59-60页
     ·微结构和表面形貌第60-61页
     ·表面粗糙度第61页
     ·薄膜的厚度测定第61页
     ·磁性质第61页
     ·电输运性质第61-62页
   ·本章小结第62-63页
第3章 NiO/SBO双层缓冲层制备研究第63-71页
   ·NiO缓冲层实验结果和分析第63-68页
     ·空气中自氧化外延制备NiO(200)缓冲层第63-64页
     ·氩气中自氧化外延制备NiO(200)缓冲层第64-68页
   ·SmBiO_3缓冲层的结果与分析第68-70页
   ·本章小结第70-71页
第4章 PACSD法制备RE:CeO_2单一缓冲层研究第71-84页
   ·实验原理第71-75页
     ·旋涂法简介第71-72页
     ·临界厚度第72-74页
     ·RE掺杂的CeO_2与NiW基底和YBCO的晶格失配度第74-75页
   ·Sm:CeO_2缓冲层的性能研究第75-80页
     ·热处理温度的影响第75-76页
     ·热处理时间的影响第76-77页
     ·薄膜的性能第77-79页
     ·生长的超导层第79-80页
   ·Gd:CeO_2缓冲层的性能研究第80-83页
     ·GCO薄膜的XRD分析第80-81页
     ·GCO薄膜的SEM分析第81页
     ·GCO薄膜的AFM分析第81-82页
     ·GCO薄膜厚度第82页
     ·GBCO超导层第82-83页
   ·本章小结第83-84页
第5章 浸涂法制备SCO单层缓冲层研究第84-93页
   ·浸涂法简介第84-86页
     ·浸涂法制备薄膜流程第84-85页
     ·浸涂薄膜厚度第85-86页
     ·生长温度和时间第86页
   ·SCO缓冲层涂覆工艺研究第86-92页
     ·影响因素分析第86-89页
     ·中样性能分析第89-91页
     ·超导层性能分析第91-92页
   ·本章总结第92-93页
第6章 狭缝涂覆技术制备SCO缓冲层长带第93-114页
   ·狭缝涂覆技术原理介绍第93-96页
     ·狭缝涂覆技术介绍第93-94页
     ·理论公式第94-95页
     ·最小湿厚度第95-96页
     ·三种失效模式第96页
   ·涂覆影响因素分析第96-100页
     ·溶液粘度第96-97页
     ·带移动速度第97-99页
     ·溶液释放速度第99-100页
   ·静态制备SCO单层缓冲层第100-102页
   ·动态制备SCO缓冲层长带第102-111页
     ·带材连续制备系统第103-105页
     ·动态热处理工艺参数研究第105-108页
     ·SCO长带性能分析第108-111页
   ·动态与静态制备SCO薄膜性能比较第111页
   ·三种工艺制备的SCO薄膜性能比较第111-113页
   ·本章小结第113-114页
全文总结第114-116页
致谢第116-117页
参考文献第117-125页
攻读博士学位期间发表的论文第125-127页
申请中国发明专利第127页

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