摘要 | 第1-8页 |
Abstract | 第8-14页 |
第1章 绪论 | 第14-51页 |
·课题背景 | 第14-17页 |
·国外研究现状 | 第14-16页 |
·国内研究现状 | 第16页 |
·发展动态分析 | 第16-17页 |
·涂层导体简介 | 第17-24页 |
·涂层导体基本结构 | 第17-20页 |
·缓冲层材料 | 第20-23页 |
·涂层导体的制备方法 | 第23-24页 |
·高温超导材料的应用 | 第24页 |
·实验方法及机理 | 第24-48页 |
·自氧化外延法(SOE) | 第24-32页 |
·化学溶液沉积方法 | 第32-48页 |
·本论文主要研究内容和结构 | 第48-51页 |
·研究内容 | 第48-49页 |
·论文结构 | 第49-51页 |
第2章 实验方案设计和表征手段 | 第51-63页 |
·实验方案设计 | 第51-59页 |
·NiO(200)/SmBiO_3双层缓冲层的制备 | 第51-53页 |
·RE:CeO_2缓冲层在NiW基底上的制备 | 第53-59页 |
·分析检测手段 | 第59-62页 |
·差热分析 | 第59页 |
·样品的晶体结构分析 | 第59页 |
·样品的织构分析 | 第59-60页 |
·微结构和表面形貌 | 第60-61页 |
·表面粗糙度 | 第61页 |
·薄膜的厚度测定 | 第61页 |
·磁性质 | 第61页 |
·电输运性质 | 第61-62页 |
·本章小结 | 第62-63页 |
第3章 NiO/SBO双层缓冲层制备研究 | 第63-71页 |
·NiO缓冲层实验结果和分析 | 第63-68页 |
·空气中自氧化外延制备NiO(200)缓冲层 | 第63-64页 |
·氩气中自氧化外延制备NiO(200)缓冲层 | 第64-68页 |
·SmBiO_3缓冲层的结果与分析 | 第68-70页 |
·本章小结 | 第70-71页 |
第4章 PACSD法制备RE:CeO_2单一缓冲层研究 | 第71-84页 |
·实验原理 | 第71-75页 |
·旋涂法简介 | 第71-72页 |
·临界厚度 | 第72-74页 |
·RE掺杂的CeO_2与NiW基底和YBCO的晶格失配度 | 第74-75页 |
·Sm:CeO_2缓冲层的性能研究 | 第75-80页 |
·热处理温度的影响 | 第75-76页 |
·热处理时间的影响 | 第76-77页 |
·薄膜的性能 | 第77-79页 |
·生长的超导层 | 第79-80页 |
·Gd:CeO_2缓冲层的性能研究 | 第80-83页 |
·GCO薄膜的XRD分析 | 第80-81页 |
·GCO薄膜的SEM分析 | 第81页 |
·GCO薄膜的AFM分析 | 第81-82页 |
·GCO薄膜厚度 | 第82页 |
·GBCO超导层 | 第82-83页 |
·本章小结 | 第83-84页 |
第5章 浸涂法制备SCO单层缓冲层研究 | 第84-93页 |
·浸涂法简介 | 第84-86页 |
·浸涂法制备薄膜流程 | 第84-85页 |
·浸涂薄膜厚度 | 第85-86页 |
·生长温度和时间 | 第86页 |
·SCO缓冲层涂覆工艺研究 | 第86-92页 |
·影响因素分析 | 第86-89页 |
·中样性能分析 | 第89-91页 |
·超导层性能分析 | 第91-92页 |
·本章总结 | 第92-93页 |
第6章 狭缝涂覆技术制备SCO缓冲层长带 | 第93-114页 |
·狭缝涂覆技术原理介绍 | 第93-96页 |
·狭缝涂覆技术介绍 | 第93-94页 |
·理论公式 | 第94-95页 |
·最小湿厚度 | 第95-96页 |
·三种失效模式 | 第96页 |
·涂覆影响因素分析 | 第96-100页 |
·溶液粘度 | 第96-97页 |
·带移动速度 | 第97-99页 |
·溶液释放速度 | 第99-100页 |
·静态制备SCO单层缓冲层 | 第100-102页 |
·动态制备SCO缓冲层长带 | 第102-111页 |
·带材连续制备系统 | 第103-105页 |
·动态热处理工艺参数研究 | 第105-108页 |
·SCO长带性能分析 | 第108-111页 |
·动态与静态制备SCO薄膜性能比较 | 第111页 |
·三种工艺制备的SCO薄膜性能比较 | 第111-113页 |
·本章小结 | 第113-114页 |
全文总结 | 第114-116页 |
致谢 | 第116-117页 |
参考文献 | 第117-125页 |
攻读博士学位期间发表的论文 | 第125-127页 |
申请中国发明专利 | 第127页 |