| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-11页 |
| 1 绪论 | 第11-16页 |
| ·引言 | 第11页 |
| ·稀磁半导体发展的瓶颈 | 第11-12页 |
| ·金属氧化物的磁性 | 第12-13页 |
| ·金属氧化物的缺陷 | 第13-14页 |
| ·多孔金属氧化物薄膜材料 | 第14-15页 |
| ·选题背景及主要研究内容 | 第15-16页 |
| 2 实验方法及仪器 | 第16-29页 |
| ·阳极氧化方法 | 第16-19页 |
| ·实验仪器及材料 | 第16-17页 |
| ·制备过程 | 第17-19页 |
| ·磁控溅射沉积法 | 第19-21页 |
| ·磁控溅射设备的原理 | 第19-20页 |
| ·磁控溅射设备的特点 | 第20-21页 |
| ·PAA 基底的预备及表征 | 第21-24页 |
| ·PAA 基底的预备 | 第21-22页 |
| ·预备基底的表征及讨论 | 第22-24页 |
| ·测试仪器 | 第24-29页 |
| ·扫描探针显微镜 | 第24页 |
| ·扫描电子显微镜 | 第24-25页 |
| ·X 射线衍射仪 | 第25-26页 |
| ·紫外可见分光光度计 | 第26-27页 |
| ·物理性能测试系统 | 第27-29页 |
| 3 多孔 TiO_2薄膜制备、表征及磁性研究 | 第29-38页 |
| ·利用磁控溅射设备在 PAA 上沉积制备多孔 TiO_2薄膜 | 第30-32页 |
| ·样品的制备条件 | 第30页 |
| ·制备样品的表征 | 第30-32页 |
| ·不同溅射时间下，多孔 TiO_2薄膜磁性的研究 | 第32-34页 |
| ·样品的制备条件 | 第32页 |
| ·不同溅射时间下，多孔 TiO_2薄膜磁性的表征 | 第32-34页 |
| ·不同氧流量条件下，多孔 TiO_2薄膜磁性的研究 | 第34-35页 |
| ·样品的制备条件 | 第34页 |
| ·不同氧流量条件下，多孔 TiO_2薄膜磁性的表征 | 第34-35页 |
| ·不同空气退火温度下，多孔 TiO_2薄膜磁性的研究 | 第35-36页 |
| ·样品的制备条件 | 第35页 |
| ·不同空气退火温度下，多孔 TiO_2薄膜磁性的表征 | 第35-36页 |
| ·不同空气退火时间下，多孔 TiO_2薄膜磁性的研究 | 第36-37页 |
| ·样品的制备条件 | 第36页 |
| ·不同空气退火时间下，多孔 TiO_2薄膜磁性的表征 | 第36-37页 |
| ·本章小结 | 第37-38页 |
| 4 使用其它方法制备 TiO_2薄膜和粉末及其磁性研究 | 第38-46页 |
| ·使用阳极氧化法制备多孔 TiO_2薄膜 | 第38-40页 |
| ·实验部分 | 第38-39页 |
| ·阳极氧化法制备多孔 TiO_2薄膜的表征 | 第39-40页 |
| ·使用溶胶--凝胶法制备 TiO_2薄膜 | 第40-43页 |
| ·实验部分 | 第40-41页 |
| ·溶胶--胶法制备的 TiO_2薄膜的表征 | 第41-43页 |
| ·TiCl_4水解法制备 TiO_2粉末 | 第43-45页 |
| ·实验部分 | 第43页 |
| ·TiCl_4水解法制备 TiO_2粉末的表征 | 第43-45页 |
| ·本章小结 | 第45-46页 |
| 5 多孔 TiO_2薄膜室温铁磁性存在的原因 | 第46-51页 |
| ·引言 | 第46页 |
| ·多孔 TiO_2薄膜室温铁磁性的起因――氧空位 | 第46-48页 |
| ·氧空位获得磁矩的分析 | 第46-47页 |
| ·氧空位存在的证据 | 第47-48页 |
| ·具有磁矩的氧空位的交换相互作用 | 第48-49页 |
| ·满足交换相互作用的依据――磁各向异性 | 第49-50页 |
| ·本章小结 | 第50-51页 |
| 6 总结 | 第51-53页 |
| ·结论 | 第51页 |
| ·创新点 | 第51-52页 |
| ·工作展望 | 第52-53页 |
| 参考文献 | 第53-59页 |
| 致谢 | 第59-60页 |
| 攻读学位期间取得的科研成果清单 | 第60页 |
