| 摘要 | 第1-6页 |
| ABSTRACT | 第6-16页 |
| 第一章 绪论 | 第16-29页 |
| ·引言 | 第16-17页 |
| ·ZnO 的结构和性质 | 第17-21页 |
| ·ZnO 的晶体结构 | 第17-19页 |
| ·ZnO 的光电性质 | 第19页 |
| ·ZnO 的磁学性质 | 第19-20页 |
| ·ZnO 的压电性质 | 第20-21页 |
| ·一维 ZnO 纳米结构的研究现状 | 第21-26页 |
| ·ZnO 纳米带的研究 | 第21-23页 |
| ·ZnO 纳米管的研究 | 第23-25页 |
| ·ZnO 纳米线的研究 | 第25-26页 |
| ·本课题组相关理论工作 | 第26-27页 |
| ·本论文的主要内容及其意义 | 第27-29页 |
| 第二章 理论基础和计算方法 | 第29-46页 |
| ·主要理论方法 | 第29-32页 |
| ·多粒子系统的薛定谔方程 | 第29-30页 |
| ·Born-Oppenheimer 近似 | 第30-31页 |
| ·Hartree-Fork 理论 | 第31-32页 |
| ·密度泛函理论 | 第32-37页 |
| ·Thomas-Fermi 模型 | 第32-33页 |
| ·Hohenberg-Kohn 理论 | 第33-34页 |
| ·Kohn-Sham 方法 | 第34-35页 |
| ·交换关联函数 | 第35-37页 |
| ·密度泛函理论的计算方法 | 第37-43页 |
| ·Bloch 理论 | 第37-38页 |
| ·赝势理论 | 第38-41页 |
| ·基函数集 | 第41-43页 |
| ·基于密度泛函理论的 DMol 软件包 | 第43-46页 |
| 第三章 碳掺杂 ZnO 纳米带的电子性质和磁性 | 第46-62页 |
| ·引言 | 第46-47页 |
| ·研究方法 | 第47-49页 |
| ·结果和讨论 | 第49-61页 |
| ·ZnO 纳米带的电容器模型 | 第49-53页 |
| ·不同碳掺杂位置的稳定性 | 第53-56页 |
| ·不同碳掺杂位置的磁性 | 第56-59页 |
| ·不同碳掺杂位置的电子性质 | 第59-61页 |
| ·结论 | 第61-62页 |
| 第四章 横向电场对单壁 ZnO 纳米管的形貌和电子特性的调控 | 第62-74页 |
| ·引言 | 第62-63页 |
| ·研究方法 | 第63-64页 |
| ·结果和讨论 | 第64-73页 |
| ·电场诱导的纳米管的形变 | 第64-66页 |
| ·电场诱导的能带结构的调控 | 第66-73页 |
| ·结论 | 第73-74页 |
| 第五章 横向电场对 ZnO 纳米线和面心纳米管的电子特性的调控 | 第74-84页 |
| ·引言 | 第74页 |
| ·研究方法 | 第74-76页 |
| ·结果和讨论 | 第76-83页 |
| ·电场对纳米线和面心纳米管能带结构的调控 | 第76-79页 |
| ·直径、管径和壁厚对带隙调控的影响 | 第79-81页 |
| ·电场对电子和空穴有效质量的调控 | 第81-83页 |
| ·结论 | 第83-84页 |
| 第六章 横向电场和外部应力对MoS2纳米管的形貌和电子性质的调控 | 第84-95页 |
| ·引言 | 第84-86页 |
| ·研究方法 | 第86-87页 |
| ·结果和讨论 | 第87-94页 |
| ·横向电场诱导的 MoS2纳米管带隙的调控 | 第87-91页 |
| ·电场诱导的 MoS2纳米管的结构形变及其对带隙的影响 | 第91-93页 |
| ·径向压缩和轴向应变对 MoS2纳米管的带隙的影响 | 第93-94页 |
| ·结论 | 第94-95页 |
| 第七章 总结与展望 | 第95-98页 |
| ·总结 | 第95-96页 |
| ·展望 | 第96-98页 |
| 参考文献 | 第98-115页 |
| 致谢 | 第115-116页 |
| 在学期间的研究成果及发表的学术论文 | 第116页 |
