| 摘要 | 第1-7页 |
| Abstract | 第7-12页 |
| 第一章 前言 | 第12-16页 |
| ·研究的背景和意义 | 第12-13页 |
| ·研究的目的和内容 | 第13页 |
| ·本论文的结构安排及内容提要 | 第13-16页 |
| 第二章 文献综述 | 第16-42页 |
| 摘要 | 第16页 |
| ·引言 | 第16-17页 |
| ·太阳电池用多晶硅材料的制备 | 第17-21页 |
| ·铸造法生长多晶硅 | 第17-19页 |
| ·铸造法新工艺 | 第19-21页 |
| ·多晶硅中的金属杂质 | 第21-32页 |
| ·多晶硅中金属杂质的分布规律、溶解度与扩散 | 第21-25页 |
| ·多晶硅中金属杂质的复合活性 | 第25-30页 |
| ·多晶硅中金属杂质的吸杂 | 第30-32页 |
| ·多晶硅中的缺陷 | 第32-37页 |
| ·多晶硅中的位错 | 第32-34页 |
| ·多晶硅中的晶界 | 第34-37页 |
| ·太阳电池的制备 | 第37-40页 |
| ·太阳电池的原理与发展 | 第37-39页 |
| ·太阳电池的制备过程 | 第39-40页 |
| ·评论及存在的问题 | 第40-42页 |
| 第三章 实验样品与研究方法 | 第42-48页 |
| 摘要 | 第42页 |
| ·实验样品与样品制备 | 第42-44页 |
| ·实验样品 | 第42-43页 |
| ·样品制备 | 第43-44页 |
| ·测试方法与设备 | 第44-48页 |
| ·电流/电容-电压特性曲线 | 第44页 |
| ·少子寿命测试 | 第44-46页 |
| ·微观形貌表征 | 第46页 |
| ·量子效率测试 | 第46页 |
| ·扩展电阻 | 第46-48页 |
| 第四章 铸造多晶硅中边缘低少子寿命区域的研究 | 第48-66页 |
| 摘要 | 第48页 |
| ·引言 | 第48-49页 |
| ·实验 | 第49-51页 |
| ·样品制备与选取 | 第49-50页 |
| ·铸造多晶硅中边缘低少子寿命区域的原生杂质与缺陷 | 第50-51页 |
| ·含有边缘低少子寿命区域样品的电池制备及性能 | 第51页 |
| ·铸造多晶硅中边缘低少子寿命区域杂质与缺陷的研究 | 第51-55页 |
| ·铸造多晶硅中边缘低少子寿命区域有效载流子寿命与间隙铁浓度分布 | 第51-53页 |
| ·铸造多晶硅中边缘低少子寿命区域碳、氧浓度分布 | 第53-54页 |
| ·铸造多晶硅中边缘低少子寿命区域缺陷密度分布 | 第54-55页 |
| ·对电池性能的影响研究 | 第55-60页 |
| ·含有边缘低少子寿命区域电池片的内量子效率 | 第55-56页 |
| ·含有边缘低少子寿命区域电池片的性能参数 | 第56-58页 |
| ·含有边缘低少子寿命区域电池片的有效载流子寿命与间隙铁浓度 | 第58-60页 |
| ·铸造多晶硅中边缘低少子寿命区域的成因分析 | 第60-61页 |
| ·铸造多晶硅中边缘低少子寿命区域的消除研究 | 第61-63页 |
| ·在晶体生长过程中改善边缘低少子寿命区域 | 第61-62页 |
| ·通过提高硅片性能改善边缘低少子寿命区域 | 第62页 |
| ·在太阳电池制备过程中改善边缘低少子寿命区域 | 第62-63页 |
| ·小结 | 第63-66页 |
| 第五章 金属杂质对晶界电学性能的影响研究 | 第66-110页 |
| 摘要 | 第66页 |
| ·引言 | 第66-67页 |
| ·实验 | 第67-69页 |
| ·过渡金属杂质对硅中晶界电学性能的影响 | 第67-68页 |
| ·不同形态金属沉淀对硅中晶界电学性能的影响 | 第68页 |
| ·不同含量金属杂质对硅中晶界电学性能的影响 | 第68-69页 |
| ·两种金属共沾污对硅中晶界电学性能的影响 | 第69页 |
| ·氢钝化对硅中晶界电学性能的影响 | 第69页 |
| ·过渡金属杂质对硅中晶界电学性能的影响 | 第69-82页 |
| ·金属Cr沾污对硅中晶界电学性能的影响 | 第69-76页 |
| ·金属Mn沾污对硅中晶界电学性能的影响 | 第76-80页 |
| ·金属杂质沾污对硅中晶界电学性能的影响 | 第80-82页 |
| ·不同形态金属沉淀对硅中晶界电学性能的影响 | 第82-90页 |
| ·不同含量金属杂质对硅中晶界电学性能的影响 | 第90-97页 |
| ·两种金属共沾污对硅中晶界电学性能的影响 | 第97-101页 |
| ·氢钝化对硅中晶界电学性能的影响 | 第101-107页 |
| ·小结 | 第107-110页 |
| 第六章 位错对晶体硅电池性能的影响研究 | 第110-124页 |
| 摘要 | 第110页 |
| ·引言 | 第110-111页 |
| ·实验 | 第111-113页 |
| ·铸造准单晶硅与高效多晶硅的生长 | 第111-112页 |
| ·位错对硅片性能的影响研究 | 第112页 |
| ·位错对太阳电池性能的影响研究 | 第112-113页 |
| ·位错对硅片性能的影响研究 | 第113-116页 |
| ·位错对太阳电池性能的影响研究 | 第116-122页 |
| ·小结 | 第122-124页 |
| 第七章 硅中金属杂质的磷扩散吸杂研究 | 第124-142页 |
| 摘要 | 第124页 |
| ·引言 | 第124-125页 |
| ·实验 | 第125-127页 |
| ·n型晶界上金杂质的磷扩散吸杂研究 | 第125-126页 |
| ·发射极制备工艺的优化研究 | 第126-127页 |
| ·铸造多晶硅边缘低少子寿命区域的磷扩散吸杂 | 第127页 |
| ·磷扩散吸杂对硅中晶界电学性能的影响 | 第127-133页 |
| ·铸造多晶硅边缘低少子寿命区域磷吸杂的研究 | 第133-135页 |
| ·发射极制备工艺的优化研究 | 第135-140页 |
| ·小结 | 第140-142页 |
| 第八章 总结 | 第142-144页 |
| 参考文献 | 第144-158页 |
| 个人简历 | 第158-160页 |
| 攻读学位期间发表的学术论文 | 第160-162页 |
| 致谢 | 第162页 |