| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-20页 |
| ·引言 | 第10-11页 |
| ·阻变存储器 | 第11-18页 |
| ·阻变存储器的器件结构 | 第11-12页 |
| ·阻变存储器的阻变材料 | 第12-14页 |
| ·阻变存储器的阻变机制 | 第14-18页 |
| ·本文的研究意义及研究内容 | 第18-20页 |
| 第二章 三氧化钨纳米线的制备以及器件的构筑 | 第20-32页 |
| ·前言 | 第20-21页 |
| ·水热法制备三氧化钨纳米线 | 第21-25页 |
| ·实验设备 | 第21页 |
| ·实验试剂 | 第21-22页 |
| ·实验方法与步骤 | 第22-23页 |
| ·样品结构与形貌表征 | 第23-25页 |
| ·基于三氧化钨纳米线的器件的构筑 | 第25-31页 |
| ·器件的构筑 | 第25-28页 |
| ·器件测试平台的搭建及测试方法 | 第28-30页 |
| ·器件稳定性测试 | 第30-31页 |
| ·本章小结 | 第31-32页 |
| 第三章 单根三氧化钨纳米线的忆阻效应研究 | 第32-42页 |
| ·前言 | 第32-33页 |
| ·单根三氧化钨纳米线器件的电输运性能研究 | 第33-36页 |
| ·温度对单根三氧化钨纳米线器件的影响 | 第33-34页 |
| ·偏压扫描速率对单根三氧化钨纳米线器件的影响 | 第34-35页 |
| ·紫外光照对单根三氧化钨纳米线器件的影响 | 第35-36页 |
| ·氧空位对单根三氧化钨纳米线器件忆阻效应的作用机制 | 第36-41页 |
| ·本章小结 | 第41-42页 |
| 第四章 基于肖特基接触的单根三氧化钨纳米线的电输运研究 | 第42-48页 |
| ·前言 | 第42-43页 |
| ·退火对单根三氧化钨纳米线器件接触电阻的影响 | 第43-44页 |
| ·基于肖特基接触的单根三氧化钨纳米线的电输运研究 | 第44-46页 |
| ·温度对肖特基势垒的影响 | 第44-45页 |
| ·紫外光照对肖特基势垒的影响 | 第45-46页 |
| ·本章小结 | 第46-48页 |
| 第五章 总结与展望 | 第48-50页 |
| 参考文献 | 第50-56页 |
| 附录:攻读硕士学位期间论文发表情况 | 第56-57页 |
| 致谢 | 第57-58页 |