| 摘要 | 第1-8页 |
| ABSTRACT | 第8-13页 |
| 第一章 绪论 | 第13-41页 |
| ·引言 | 第13-18页 |
| ·半导体存储器概述 | 第18-23页 |
| ·相变存储器综述 | 第23-33页 |
| ·相变存储器原理 | 第23-24页 |
| ·相变存储器研发历程 | 第24-26页 |
| ·相变材料的研究 | 第26-28页 |
| ·器件结构的研究 | 第28-32页 |
| ·相变存储器研究中存在的问题 | 第32-33页 |
| ·本论文主要工作 | 第33-34页 |
| 参考文献 | 第34-41页 |
| 第二章 高数据保持力的氮掺杂Ge_xTe_(1-x)相变材料 | 第41-77页 |
| ·引言 | 第41-43页 |
| ·氮掺杂化学计量比的GeTe材料研究 | 第43-63页 |
| ·实验简介 | 第43-47页 |
| ·氮掺杂GeTe材料性能表征 | 第47-55页 |
| ·PCM器件制备与表征 | 第55-63页 |
| ·氮掺杂非化学计量比的Ge_3Te_2材料研究 | 第63-72页 |
| ·引言 | 第63-64页 |
| ·实验简介 | 第64-65页 |
| ·氮掺杂Ge_3Te_2相变薄膜的材料与器件性能表征 | 第65-72页 |
| ·本章小结 | 第72-73页 |
| 参考文献 | 第73-77页 |
| 第三章 Sb_2Te_3相变材料的掺杂改性研究 | 第77-92页 |
| ·引言 | 第77-78页 |
| ·Si、N掺杂的Sb_2Te_3相变材料研究 | 第78-83页 |
| ·实验简介 | 第78页 |
| ·Si、N掺杂的Sb_2Te_3材料与器件性能表征 | 第78-83页 |
| ·Al掺杂的Sb_2Te_3相变材料研究 | 第83-89页 |
| ·实验简介 | 第83-84页 |
| ·Al_xSb_2Te_3薄膜的材料和器件性能表征 | 第84-89页 |
| ·本章小结 | 第89-90页 |
| 参考文献 | 第90-92页 |
| 第四章 高速Al_xSb_3Te相变材料研究 | 第92-117页 |
| ·引言 | 第92-93页 |
| ·Al_xSb_3Te相变材料基本性能表征 | 第93-99页 |
| ·Al_(0.8)Sb_3Te薄膜相变性能及中间阻态研究 | 第99-106页 |
| ·实验简介 | 第99-100页 |
| ·Al_(0.8)Sb_3Te薄膜中间阻态的稳定性 | 第100-106页 |
| ·基于Al_xSb_3Te薄膜的横向PCM器件制备与表征 | 第106-113页 |
| ·引言 | 第106-107页 |
| ·纳米线相变单元的制备工艺及性能表征 | 第107-113页 |
| ·本章小结 | 第113-114页 |
| 参考文献 | 第114-117页 |
| 第五章 用于平衡速度和保持力的W掺杂Sb_2Te相变材料 | 第117-139页 |
| ·引言 | 第117-119页 |
| ·实验简介 | 第119-120页 |
| ·W_x(Sb_2Te)_(1-x)材料性能与器件性能表征 | 第120-136页 |
| ·本章小结 | 第136-137页 |
| 参考文献 | 第137-139页 |
| 第六章 高性能W-Ge-Te相变材料研究 | 第139-154页 |
| ·引言 | 第139-140页 |
| ·实验简介 | 第140-141页 |
| ·W_x(GeTe)_(1-x)相变薄膜的材料和器件性能表征 | 第141-151页 |
| ·本章小结 | 第151-152页 |
| 参考文献 | 第152-154页 |
| 第七章 结论与展望 | 第154-157页 |
| 附录Ⅰ 攻读博士学位期间科研成果清单及奖励 | 第157-162页 |
| 附录Ⅱ 致谢 | 第162-163页 |
