超薄Bi（111）薄膜表面电子结构、声子结构及电—声子相互作用研究
| 目录 | 第1-5页 |
| 摘要 | 第5-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第一章 引言 | 第7-16页 |
| ·拓扑绝缘材料概述 | 第7-10页 |
| ·拓扑的概念 | 第7-8页 |
| ·拓扑绝缘体的特点 | 第8-9页 |
| ·拓扑绝缘材料的研究进展 | 第9-10页 |
| ·半金属材料铋的性质和特点 | 第10-12页 |
| ·元素铋的基本性质 | 第10-11页 |
| ·铋的几何结构 | 第11页 |
| ·铋的半金属性 | 第11-12页 |
| ·铋材料的应用 | 第12页 |
| ·铋薄膜材料的研究现状 | 第12-14页 |
| ·本文的研究目的和主要内容 | 第14-16页 |
| 第二章 基本理论及计算方法 | 第16-26页 |
| ·第一性原理计算 | 第16页 |
| ·密度泛函理论 | 第16-21页 |
| ·Hohenberg-Kohn定理 | 第17-18页 |
| ·Kohn-Sham方程 | 第18-20页 |
| ·交换关联势 | 第20-21页 |
| ·密度泛函微扰理论 | 第21-22页 |
| ·自旋轨道耦合 | 第22-26页 |
| ·从经典唯象出发探讨自旋轨道耦合 | 第22-24页 |
| ·从狄拉克方程出发探讨自旋轨道耦合 | 第24-26页 |
| 第三章 Bi薄膜材料的第一性原理研究 | 第26-46页 |
| ·计算参数的选择 | 第26页 |
| ·几何结构 | 第26-29页 |
| ·电子结构 | 第29-34页 |
| ·铋体内电子结构 | 第29-31页 |
| ·铋薄膜电子结构 | 第31-34页 |
| ·晶格动力学性质 | 第34-43页 |
| ·Γ点振动模研究 | 第34-38页 |
| ·声子色散谱 | 第38-41页 |
| ·声子态密度 | 第41-43页 |
| ·电-声子耦合 | 第43-44页 |
| ·总结与展望 | 第44-46页 |
| 参考文献 | 第46-50页 |
| 硕士期间发表和完成论文情况 | 第50-51页 |
| 致谢 | 第51页 |
