| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-8页 |
| 目录 | 第8-11页 |
| 1 绪论 | 第11-26页 |
| ·引言 | 第11-12页 |
| ·聚合物光探测器的结构、工作原理及性能参数 | 第12-15页 |
| ·聚合物光探测器结构 | 第12-14页 |
| ·聚合物光探测器的工作原理 | 第14-15页 |
| ·聚合物光探测器件的性能参数 | 第15页 |
| ·聚合物光探测器的发展 | 第15-17页 |
| ·聚合物光探测器的材料 | 第17-20页 |
| ·阳极 | 第18页 |
| ·给体材料 | 第18页 |
| ·受体材料 | 第18-19页 |
| ·激子阻挡材料 | 第19-20页 |
| ·阴极材料 | 第20页 |
| ·电极修饰材料 | 第20页 |
| ·主要的聚合方法 | 第20-23页 |
| ·Pd 催化 Stille 反应 | 第20-21页 |
| ·Pd 催化 Suzuki 偶合反应 | 第21页 |
| ·FeCl_3催化缩合反应 | 第21-22页 |
| ·Pd 催化 Heck 缩合反应 | 第22页 |
| ·Ni 催化缩合反应 ( Yamamoto 偶合反应) | 第22-23页 |
| ·Witti g 反应 | 第23页 |
| ·本研究课题的提出和来源 | 第23-24页 |
| ·本论文的主要研究内容 | 第24页 |
| ·本论文的创新处 | 第24-26页 |
| 2 聚合物光探测器件的制备和性能的测试 | 第26-31页 |
| ·聚合物光探测器件制备 | 第26-29页 |
| ·实验所用的仪器与设备 | 第26-27页 |
| ·ITO 基片的标记与清洗 | 第27-28页 |
| ·阳极缓冲层的旋涂 | 第28页 |
| ·给体/受体共混膜的制备 | 第28-29页 |
| ·金属电极的蒸镀 | 第29页 |
| ·本论文中制作器件所用的材料 | 第29页 |
| ·聚合物光探测器性能的测试 | 第29-30页 |
| ·本章小结 | 第30-31页 |
| 3 基于苯并噻二唑并吡嗪基窄带隙共轭聚合物的合成和光电性能的研究 | 第31-50页 |
| ·引言 | 第31-32页 |
| ·实验部分 | 第32-38页 |
| ·原料与试剂 | 第32页 |
| ·表征设备与仪器 | 第32-33页 |
| ·单体及聚合物的合成 | 第33-38页 |
| ·结果与讨论 | 第38-45页 |
| ·单体及共聚物的合成与表征 | 第38-43页 |
| ·共聚物的吸收特性 | 第43-44页 |
| ·共聚物的电化学特性 | 第44-45页 |
| ·共聚物器件性能的测试 | 第45-48页 |
| ·研究共混薄膜的厚度对器件性能的影响 | 第45-46页 |
| ·研究二苯硫醚的掺入比例对器件性能的影响 | 第46-48页 |
| ·本章小结 | 第48-50页 |
| 4 基于苯并吡嗪及二苯并 [ a,c ] 吡嗪与苯并二噻吩的聚合物的合成和光电性能研究 | 第50-63页 |
| ·引言 | 第50页 |
| ·实验部分 | 第50-56页 |
| ·原料与试剂 | 第50-51页 |
| ·表征设备与仪器 | 第51-52页 |
| ·单体及聚合物的合成 | 第52-56页 |
| ·结果与讨论 | 第56-61页 |
| ·单体及共聚物的合成与表征 | 第56-59页 |
| ·共聚物的吸收特性 | 第59-60页 |
| ·共聚物的电化学特性 | 第60-61页 |
| ·本章小结 | 第61-63页 |
| 5 基于 ( 芴、茚芴、咔唑）基窄带隙聚合物的合成与光电性能的研究 | 第63-79页 |
| ·引言 | 第63-64页 |
| ·实验部分 | 第64-72页 |
| ·原料与试剂 | 第64页 |
| ·表征设备与仪器 | 第64-65页 |
| ·单体及聚合物的合成 | 第65-72页 |
| ·结果与讨论 | 第72-78页 |
| ·单体及共聚物的合成与表征 | 第72-74页 |
| ·共聚物的吸收和发光特性 | 第74-75页 |
| ·共聚物的电化学特性 | 第75-77页 |
| ·共聚物的热重分析 | 第77-78页 |
| ·本章小结 | 第78-79页 |
| 结论 | 第79-81页 |
| 致谢 | 第81-82页 |
| 参考文献 | 第82-86页 |
| 攻读学位期间的研究成果 | 第86页 |
