| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-10页 |
| 第1章 绪论 | 第10-16页 |
| ·石墨烯(graphene) | 第10-12页 |
| ·Si 及 Si(111)重构表面 | 第12-13页 |
| ·碳硅二元化合物 | 第13-14页 |
| ·理论预测在纳米材料中的应用 | 第14页 |
| ·本文的研究目的以及内容 | 第14-16页 |
| 第2章 理论计算方法 | 第16-22页 |
| ·密度泛函理论 (Density functional theory) | 第16-20页 |
| ·Born-Oppenheimer 绝热近似 | 第16页 |
| ·Hohenberg-Kohn 定理 | 第16-17页 |
| ·Kohn-Sham 方程 | 第17-18页 |
| ·交换关联泛函 | 第18-19页 |
| ·赝势方法 | 第19-20页 |
| ·计算细节 | 第20-22页 |
| ·吸附能 | 第20页 |
| ·能带结构 | 第20页 |
| ·电荷差分密度（Charge difference density ） | 第20-22页 |
| 第3章 不同浓度 C 原子修饰的 Si(111)表面对 Graphene 电子结构的调制 | 第22-36页 |
| ·引言 | 第22-23页 |
| ·理论模型和计算方法 | 第23-24页 |
| ·结果与讨论 | 第24-35页 |
| ·3m 3m和 n 3 n3( m , n Z)超原胞下 graphene 的能带折叠 | 第24-26页 |
| ·不同浓度的 C 修饰的 Si(111)表面的稳定结构 | 第26-28页 |
| ·不同浓度 C 修饰 Si(111)表面的稳定性 | 第28页 |
| ·不同浓度的 C 修饰 Si(111)表面的能带结构 | 第28-29页 |
| ·Graphene 在不同浓度 C 修饰的 Si(111)重构面上稳定吸附结构 | 第29-31页 |
| ·Si(111)重构面-graphene 复合体系的电子性质 | 第31-34页 |
| ·Si(111)重构面-graphene 复合体系的电荷交换 | 第34-35页 |
| ·结论 | 第35-36页 |
| 第4章 H、B、 N 和 F 修饰的 Si(111)表面对 Graphene 电子结构的调制效应 | 第36-46页 |
| ·引言 | 第36-37页 |
| ·理论模型和计算方法 | 第37页 |
| ·结果与讨论 | 第37-45页 |
| ·不同种类原子修饰 Si(111)衬底的稳定构型 | 第37-39页 |
| ·不同种类原子修饰 Si(111)衬底的能带结构 | 第39-40页 |
| ·不同种类原子修饰的 Si(111)衬底吸附 graphene 的稳定结构 | 第40-41页 |
| ·不同种类原子修饰 Si(111)衬底上 graphene 的稳定性 | 第41-42页 |
| ·不同种类原子修饰 Si(111)衬底上 graphene 的能带结构 | 第42-43页 |
| ·不同种类原子修饰 Si(111)衬底上 graphene 与衬底的电荷交换 | 第43-45页 |
| ·结论 | 第45-46页 |
| 第5章 新型二维 SiC_2-pentagon 纳米晶体的结构预测与电子特征的第一性原理研究 | 第46-56页 |
| ·引言 | 第46-47页 |
| ·理论模型和计算方法 | 第47-48页 |
| ·结果与讨论 | 第48-55页 |
| ·不同构型的二维 SiC_2的结构及稳定性 | 第48-50页 |
| ·空间完全五边形 SiC_2的电子性质 | 第50-52页 |
| ·bp-SiC_2一维纳米条带的结构与电子性质 | 第52-54页 |
| ·bp-SiC_2的实验制备预测 | 第54-55页 |
| ·结论 | 第55-56页 |
| 第6章 总结与展望 | 第56-58页 |
| ·论文总结 | 第56-57页 |
| ·工作展望 | 第57-58页 |
| 参考文献 | 第58-64页 |
| 致谢 | 第64-65页 |
| 个人简历、在学期间发表的学术论文及研究成果 | 第65-66页 |
| 附录 | 第66-67页 |
