超宽带低相移五位数控衰减器的研究和设计

摘要	第1-6页
Abstract	第6-9页
第一章 绪论	第9-17页
·相控阵系统	第9-11页
·数字衰减器研究意义	第11-12页
·国内外数字衰减器研究现状和趋势	第12-14页
·GaAs MMIC 衰减器	第12-13页
·SOC 化背景下的硅基 CMOS 衰减器	第13-14页
·本文主要研究内容	第14-16页
·本章小结	第16-17页
第二章 衰减器的基本理论	第17-29页
·衰减器的主要技术指标	第17-18页
·衰减的基本原理	第18-27页
·T 型衰减网络	第19-21页
·Pi 型衰减网络	第21-24页
·桥 T 型衰减网络	第24-27页
·本章小结	第27-29页
第三章 数控衰减器结构研究	第29-39页
·SPDT 选通式衰减器	第29-30页
·分布式衰减器	第30-37页
·分布式衰减理论	第30-33页
·分布式衰减器设计	第33-37页
·开关内嵌式衰减器	第37页
·本章小结	第37-39页
第四章 采用开关内嵌式结构的衰减器设计	第39-65页
·各衰减位的设计	第39-48页
·小衰减位的设计	第40-44页
·大衰减位的设计	第44-48页
·基本开关内嵌衰减结构的相移分析	第48-51页
·相移补偿的提出	第51-53页
·两种相移补偿网络	第53-58页
·感性补偿网络	第53-55页
·容性补偿网络	第55-57页
·感性/容性补偿网络的比较	第57-58页
·超宽带低相移五位衰减器的仿真	第58-61页
·版图设计	第61-63页
·本章小结	第63-65页
第五章 总结与展望	第65-67页
致谢	第67-69页
参考文献	第69-71页