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基于散裂中子源的表面muon源设计及相关模拟技术研究

摘要第1-7页
ABSTRACT第7-14页
第1章 绪论第14-32页
   ·muon基本性质及muon源简介第14-18页
     ·muon基本性质第14-15页
     ·质子加速器发展现状第15-16页
     ·μ源产生模式第16-17页
     ·国际muon源装置发展现状第17-18页
   ·国际μSR谱学研究介绍第18-24页
     ·μSR谱学基本原理第19-20页
     ·μSR谱学基本类型第20-22页
     ·μSR谱学研究进展第22-24页
   ·脉冲慢正电子束装置研究进展第24-32页
     ·正电子湮没技术第24-27页
     ·脉冲慢正电子技术的发展第27-32页
第2章 J-PARC表面muon源的模拟研究第32-76页
   ·J-PARC及其MUSE第32-34页
     ·J-PARC简介第32-33页
     ·MUSE μ源建设第33-34页
   ·J-PARCμ靶的模拟研究第34-41页
     ·muon靶以及靶区强磁场第34-36页
     ·次级粒子产率第36-38页
     ·强边缘磁场对靶产率及初始质子束的影响第38-41页
   ·S-Line的模拟计算第41-65页
     ·S-Line的具体布局及模拟中考虑的方案第41-44页
     ·束流传输理论及模拟计算中的实际考虑第44-53页
     ·S-Line束流光学计算第53-65页
     ·本节小结第65页
   ·D-Line的模拟计算第65-73页
     ·具体束线布局及相关细节考虑第66-67页
     ·D-Line初始表面muon源相空间分布第67-68页
     ·D-Line束流光学模拟计算第68-71页
     ·D-Line表面muon束流探测并与模拟比较第71-73页
   ·本章小结第73-76页
第3章 CSNS试验型表面muon源的模拟研究第76-94页
   ·CSNS及国内μ发展规划第76-78页
     ·CSNS规划第76-77页
     ·高能质子应用区以及试验型muon源规划第77-78页
   ·CSNS muon靶初步模拟研究第78-85页
     ·模拟条件第79页
     ·靶材料第79-80页
     ·靶长度第80-81页
     ·靶半径第81-84页
     ·本节小结第84-85页
   ·CSNS常规表面muon束线模拟设计第85-92页
     ·常规束线布局第85-87页
     ·初始源相空间分布第87-90页
     ·E-Line束流光学计算第90-92页
   ·本章小结第92-94页
第4章 应用于μSR谱仪的塑料闪烁体的模拟研究第94-110页
   ·脉冲型μSR谱仪第94-96页
     ·脉冲型μSR谱仪探测器常规布局第94-95页
     ·脉冲型μSR谱仪电子学探测系统第95-96页
     ·EMuS脉冲型μSR谱仪发展机遇第96页
   ·Geant4的模拟设计方案第96-100页
     ·模拟框架设计第97-99页
     ·Geant4程序设计第99-100页
   ·元件参数与谱仪性能关系的模拟研究第100-107页
     ·光导中全反射光子的最大入射角计算第100-101页
     ·晶体条中正电子能损的计算第101-103页
     ·正电子在晶体条中光产额的计算第103-104页
     ·长晶体条输运效率对谱学测量的影响探究第104-106页
     ·晶体尺寸、最小探测时间和计数率之间关系第106-107页
   ·本章小结第107-110页
第5章 脉冲慢正电子束空间和时间聚焦的G4Beamline模拟第110-126页
   ·脉冲慢正电子束装置升级第110-116页
     ·正电子源系统第110-112页
     ·磁场系统第112-113页
     ·脉冲斩波及集束系统第113-114页
     ·模拟介绍第114-116页
   ·正电子束流的空间聚焦模拟第116-119页
     ·磁场系统对束流输运的影响第116-118页
     ·加速电压对空间聚焦的影响第118-119页
   ·脉冲慢正电子束流的时间聚焦模拟第119-125页
     ·时间聚焦理论第119-121页
     ·斩波器、预集束和主集束参数设置对时间聚焦的影响第121-125页
   ·本章小结第125-126页
第6章 总结与展望第126-130页
参考文献第130-136页
附录第136-142页
致谢第142-144页
在读期间发表的学术论文与取得的其他研究成果第144页

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