ZAO陶瓷靶材及薄膜的制备工艺与性能研究
| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-10页 |
| 1 绪论 | 第10-25页 |
| ·引言 | 第10-11页 |
| ·ZnO的结构与性质 | 第11-13页 |
| ·ZnO的结构 | 第11-12页 |
| ·ZnO的光电特性 | 第12-13页 |
| ·ZAO透明导电薄膜概述 | 第13-15页 |
| ·ZAO薄膜的导电机理 | 第13页 |
| ·ZAO透明导电薄膜的应用 | 第13-15页 |
| ·ZAO薄膜的制备方法 | 第15-18页 |
| ·磁控溅射法 | 第15页 |
| ·溶胶-凝胶法 | 第15-16页 |
| ·化学气相沉积法 | 第16页 |
| ·喷雾热分解法 | 第16-17页 |
| ·脉冲激光沉积法 | 第17-18页 |
| ·真空蒸镀法 | 第18页 |
| ·分子束外延法 | 第18页 |
| ·射频磁控溅射制备ZAO薄膜 | 第18-21页 |
| ·溅射用陶瓷靶材简介 | 第18-19页 |
| ·磁控溅射的基本原理 | 第19-20页 |
| ·射频磁控溅射 | 第20-21页 |
| ·ZAO薄膜的研究现状 | 第21-22页 |
| ·ZAO薄膜的制备工艺研究现状 | 第21-22页 |
| ·ZAO陶瓷靶材的研究现状 | 第22页 |
| ·本课题研究的意义和主要内容 | 第22-25页 |
| ·研究意义 | 第22-23页 |
| ·研究内容 | 第23-25页 |
| 2 实验工艺路线与测试方法 | 第25-34页 |
| ·实验工艺路线 | 第25-31页 |
| ·ZAO粉体的制备方法 | 第26-27页 |
| ·ZAO靶材的成型方法 | 第27-28页 |
| ·ZAO靶材的烧结工艺 | 第28-29页 |
| ·射频磁控溅射工艺 | 第29-30页 |
| ·ZAO薄膜的退火热处理 | 第30-31页 |
| ·实验原料及设备 | 第31-32页 |
| ·测试设备及方法 | 第32-34页 |
| ·测试设备 | 第32页 |
| ·测试方法 | 第32-34页 |
| 3 不同工艺制备的ZAO粉体特性的研究 | 第34-42页 |
| ·pH值对共沉淀反应的影响 | 第34-35页 |
| ·均匀沉淀法的正交试验分析 | 第35-38页 |
| ·不同ZAO粉体的特性对比 | 第38-40页 |
| ·不同ZAO粉体的表面形貌分析 | 第38-39页 |
| ·不同ZAO粉体的物相分析 | 第39-40页 |
| ·本章小结 | 第40-42页 |
| 4 ZAO陶瓷靶材的制备工艺和性能研究 | 第42-51页 |
| ·ZAO陶瓷靶材的烧结工艺 | 第42-46页 |
| ·ZAO靶材烧结机理 | 第42-43页 |
| ·差热分析 | 第43-44页 |
| ·ZAO靶材烧结温度的确定 | 第44-46页 |
| ·ZAO陶瓷靶材的物相分析 | 第46-48页 |
| ·ZAO靶材的SEM分析 | 第48-49页 |
| ·本章小结 | 第49-51页 |
| 5 ZAO薄膜的制备及光电性能研究 | 第51-57页 |
| ·ZAO薄膜的生长机理 | 第51-52页 |
| ·溅射功率对ZAO薄膜的影响 | 第52-53页 |
| ·溅射功率对ZAO薄膜电阻率的影响 | 第52-53页 |
| ·溅射功率对ZAO薄膜透光率的影响 | 第53页 |
| ·衬底温度对ZAO薄膜的影响 | 第53-55页 |
| ·衬底温度对ZAO薄膜电阻率的影响 | 第54页 |
| ·衬底温度对ZAO薄膜透光率的影响 | 第54-55页 |
| ·溅射薄膜的的XRD分析 | 第55-56页 |
| ·本章小结 | 第56-57页 |
| 6 退火热处理对ZAO薄膜光电性能的影响 | 第57-62页 |
| ·退火温度对ZAO薄膜的影响 | 第57-59页 |
| ·退火温度对ZAO薄膜电阻率的影响 | 第57-58页 |
| ·退火温度对ZAO薄膜透光率的影响 | 第58-59页 |
| ·退火时间对ZAO薄膜的影响 | 第59-60页 |
| ·退火时间对ZAO薄膜电阻率的影响 | 第59页 |
| ·退火时间对ZAO薄膜透光率的影响 | 第59-60页 |
| ·退火ZAO薄膜的XRD分析 | 第60-61页 |
| ·本章小结 | 第61-62页 |
| 7 结论及展望 | 第62-64页 |
| ·结论 | 第62-63页 |
| ·展望 | 第63-64页 |
| 参考文献 | 第64-68页 |
| 攻读硕士学位期间发表的论文 | 第68-69页 |
| 致谢 | 第69-71页 |
