| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-8页 |
| 目录 | 第8-10页 |
| 第1章 绪论 | 第10-35页 |
| ·半导体集成电路概况 | 第10-14页 |
| ·闪存(FLASH Memory)简介 | 第14-17页 |
| ·铁电存储器(FeRAM)简介 | 第17-18页 |
| ·磁致电阻存储器(MRAM)简介 | 第18-20页 |
| ·阻变存储器(RRAM)简介 | 第20-24页 |
| ·相变存储器(PCRAM)简介 | 第24-29页 |
| ·相变存储器概述 | 第24-25页 |
| ·相变存储器原理 | 第25-27页 |
| ·相变存储材料简介 | 第27-29页 |
| ·本论文工作的意义、目的和内容 | 第29-31页 |
| 参考文献 | 第31-35页 |
| 第2章 Ge_2Sb_2Te_5薄膜的制备与分析方法 | 第35-42页 |
| ·GST薄膜的制备 | 第36页 |
| ·GST薄膜的分析方法 | 第36-38页 |
| ·GST薄膜在高压下电学性能的测量 | 第38-40页 |
| 参考文献 | 第40-42页 |
| 第3章 面心立方晶相Ge_2Sb_2Te_5薄膜在高压下性能的研究 | 第42-50页 |
| ·面心立方晶相Ge_2Sb_2Te_5相变材料薄膜的性能表征 | 第42-45页 |
| ·面心立方晶相Ge_2Sb_2Te_5薄膜的XRD表征 | 第42-43页 |
| ·面心立方晶相Ge_2Sb_2Te_5薄膜的AFM表征 | 第43-44页 |
| ·面心立方晶相Ge_2Sb_2Te_5薄膜的SEM表征 | 第44页 |
| ·面心立方晶相Ge_2Sb_2Te_5薄膜的R-T性质 | 第44-45页 |
| ·高压对面心立方晶相Ge_2Sb_2Te_5相变材料薄膜电学性能的影响 | 第45-49页 |
| 参考文献 | 第49-50页 |
| 第4章 六方晶相Ge_2Sb_2Te_5薄膜的性能研究 | 第50-63页 |
| ·六方晶相Ge_2Sb_2Te_5相变材料薄膜及性能表征 | 第50-54页 |
| ·六方晶相Ge_2Sb_2Te_5薄膜的XRD表征 | 第50-51页 |
| ·六方晶相Ge_2Sb_2Te_5薄膜的AFM表征 | 第51-52页 |
| ·六方晶相Ge_2Sb_2Te_5薄膜的SEM表征 | 第52-53页 |
| ·六方晶相Ge_2Sb_2Te_5薄膜的R-T图 | 第53-54页 |
| ·高压对六方晶相Ge_2Sb_2Te_5相变材料薄膜电学性能的影响 | 第54-61页 |
| ·电阻-压强(R-P)特性 | 第54-55页 |
| ·六方晶相Ge_2Sb_2Te_5薄膜电阻随压强变化机制的研究 | 第55-61页 |
| 参考文献 | 第61-63页 |
| 第5章 结论与展望 | 第63-65页 |
| ·结论 | 第63-64页 |
| ·展望 | 第64-65页 |
| 硕士期间完成的工作 | 第65-66页 |
| 致谢 | 第66-67页 |
