| 目录 | 第1-7页 |
| 表目录 | 第7-8页 |
| 图目录 | 第8-10页 |
| 摘要 | 第10-12页 |
| ABSTRACT | 第12-14页 |
| 第一章 绪论 | 第14-28页 |
| ·C_f/SiC 复合材料支撑结构应用背景 | 第14-16页 |
| ·C_f/SiC 复合材料支撑结构国内外研究现状 | 第16-17页 |
| ·C_f/SiC 复合材料制备工艺 | 第17-22页 |
| ·先驱体浸渍裂解工艺 | 第18-19页 |
| ·化学气相渗透工艺 | 第19页 |
| ·液/气相渗Si 工艺 | 第19-21页 |
| ·混合工艺 | 第21-22页 |
| ·C_f/SiC 复合材料界面改性技术 | 第22-26页 |
| ·C 纤维表面涂层技术 | 第22-23页 |
| ·C 纤维表面涂层结构及组成 | 第23-26页 |
| ·本文选题依据与研究内容 | 第26-28页 |
| 第二章 实验与研究方法 | 第28-34页 |
| ·论文总体研究方案 | 第28-29页 |
| ·主要实验材料与设备 | 第29页 |
| ·实验材料 | 第29页 |
| ·主要仪器与设备 | 第29页 |
| ·材料性能测试 | 第29-32页 |
| ·密度及孔隙率测试 | 第29-30页 |
| ·复合材料相含量测试 | 第30-31页 |
| ·复合材料力学性能测试 | 第31-32页 |
| ·材料物相组成与显微结构表征 | 第32-34页 |
| ·物相组成分析 | 第32-33页 |
| ·显微组织结构观察与分析 | 第33-34页 |
| 第三章 气相渗硅制备3D C_f/SiC 复合材料的结构、性能 及界面调控研究 | 第34-70页 |
| ·气相渗硅制备3D C_f/SiC 复合材料的设计思路 | 第34-35页 |
| ·C/C 素坯中PIP-C 基体含量的优化研究 | 第35-45页 |
| ·PIP-C 的周期数对C/C 素坯的密度和孔隙率的影响 | 第35-36页 |
| ·C/C 素坯组成对GSI C_f/SiC 复合材料组成的影响 | 第36-37页 |
| ·C/C 素坯的PIP-C 含量对GSI C_f/SiC 复合材料性能的影响 | 第37-40页 |
| ·GSI C_f/SiC 复合材料断裂行为和微观结构分析 | 第40-44页 |
| ·小结 | 第44-45页 |
| ·CVD-SiC 界面改性涂层的制备及其对GSI 3D-C_f/SiC 力学性能的影响 | 第45-52页 |
| ·CVD-SiC 界面改性涂层的设计及制备 | 第45-46页 |
| ·沉积时间对纤维表面SiC 涂层厚度和形貌的影响 | 第46-48页 |
| ·CVD-SiC 涂层厚度对GSI 3D C_f/SiC 复合材料力学性能的影响 | 第48-50页 |
| ·CVD-SiC 涂层厚度对GSI 3D C_f/SiC 复合材料断裂方式和断口形貌的影响 | 第50-52页 |
| ·小结 | 第52页 |
| ·PIP-SiC 界面改性涂层对GSI 3D-C_f/SiC 力学性能的影响 | 第52-56页 |
| ·PIP-SiC 涂层周期数对GSI 3D-C_f/SiC 力学性能的影响 | 第52-54页 |
| ·PIP-SiC 涂层对GSI 3D C_f/SiC 断裂方式的影响 | 第54-55页 |
| ·小结 | 第55-56页 |
| ·界面改性涂层对GSI 3D C_f/SiC 力学性能的调控机理 | 第56-62页 |
| ·不同界面改性涂层对GSI 3D C_f/SiC 力学性能调控的效果对比 | 第56-58页 |
| ·CVD-SiC 涂层对GSI 3D C_f | 第58-59页 |
| ·PIP-SiC 涂层对GSI 3D C_f | 第59-61页 |
| ·无界面改性涂层的GSI 3D C_f/SiC 复合材料的断裂方式 | 第61页 |
| ·小结 | 第61-62页 |
| ·C 纤维预制件编织结构对C_f/SiC 复合材料结构及力学性能的影响 | 第62-65页 |
| ·C/C 素坯高温热处理对C_f/SiC 复合材料力学性能的影响 | 第65-70页 |
| ·C/C 素坯高温热处理对C_f/SiC 复合材料组成的影响 | 第65-67页 |
| ·C/C 素坯高温热处理对 Cf/SiC 复合材料力学性能和显微结构的影响 | 第67-68页 |
| ·小结 | 第68-70页 |
| 结束语 | 第70-72页 |
| 致谢 | 第72-73页 |
| 参考文献 | 第73-79页 |
| 作者在学期间取得的学术成果 | 第79页 |
