| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-21页 |
| ·引言 | 第10页 |
| ·OLED 的研究意义和发展前景 | 第10-14页 |
| ·OLED 的研究意义 | 第10-11页 |
| ·OLED 的发展前景 | 第11-14页 |
| ·OLED 的性能测试与表征参数 | 第14-17页 |
| ·OLED 的机理分析与传统OLED 器件结构的局限 | 第17-19页 |
| ·OLED 器件的发光机理 | 第17-18页 |
| ·OLED 器件中空穴和电子的注入和传输机制 | 第18-19页 |
| ·传统OLED 器件结构的局限 | 第19页 |
| ·本论文的研究目的与内容 | 第19-21页 |
| 第二章 利用F4-TCNQ 提高OLED 中空穴注入和传输效率及器件性能的研究 | 第21-31页 |
| ·引言 | 第21-22页 |
| ·器件的设计与制备 | 第22-23页 |
| ·F4-TCNQ 作为阳极缓冲层的器件研究与结果分析 | 第23-24页 |
| ·F4-TCNQ 作为p 型掺杂剂的器件研究与结果分析 | 第24-25页 |
| ·缓冲层器件和p 型掺杂器件的比较研究和原因分析 | 第25-28页 |
| ·F4-TCNQ 分别作为缓冲层和p 型掺杂剂的单一空穴器件的电学性能研究 | 第28-29页 |
| ·本章小结 | 第29-31页 |
| 第三章 利用Cs_2CO_3和CH_3COOCs 提高蓝光OLED 中电子注入和传输效率及器件性能的研究 | 第31-40页 |
| ·引言 | 第31-32页 |
| ·器件的设计与制备 | 第32-33页 |
| ·基于掺杂结构CBP: N-BDAVBi 高效蓝光OLED 器件的研究 | 第33-38页 |
| ·基于不同比例NBphen: Cs_2CO_3蓝光器件性能提高的研究 | 第33-35页 |
| ·基于不同比例NBphen: CH_3COOCs 蓝光器件性能提高的研究 | 第35页 |
| ·以Cs_2CO_3和CH_3COOCs 为n 型掺杂剂的蓝光器件性能的比较研究 | 第35-38页 |
| ·本章小结 | 第38-40页 |
| 第四章 利用F4-TCNQ和CH_3COOCs提高载流子的注入和传输效率及器件性能的研究 | 第40-47页 |
| ·引言 | 第40页 |
| ·器件的设计与制备 | 第40-41页 |
| ·基于不同厚度非掺杂TC-1759 蓝光层OLED 器件性能的研究 | 第41-43页 |
| ·基于CH_3COOCs 和F4-TCNQ 提高TC-1759 蓝光OLED 器件性能的研究 | 第43-46页 |
| ·本章小结 | 第46-47页 |
| 第五章 全文总结与今后器件设计构想 | 第47-50页 |
| ·全文总结 | 第47-48页 |
| ·今后器件设计构想 | 第48-50页 |
| 参考文献 | 第50-56页 |
| 发表论文和科研情况说明 | 第56-57页 |
| 致谢 | 第57-58页 |
