| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-11页 |
| 第一章 绪论 | 第11-45页 |
| ·硅酸盐发光材料概述 | 第11-21页 |
| ·硅酸盐的结构特点 | 第11-16页 |
| ·岛状结构硅酸盐 | 第12-13页 |
| ·环状结构硅酸盐 | 第13页 |
| ·链状结构硅酸盐 | 第13-14页 |
| ·层状结构硅酸盐 | 第14-15页 |
| ·架状结构硅酸盐 | 第15-16页 |
| ·硅酸盐荧光材料的开发与研究进展 | 第16-18页 |
| ·VUV用硅酸盐荧光粉的开发与研究进展 | 第18-21页 |
| ·岛状硅酸盐体系 | 第18-20页 |
| ·环状硅酸盐体系 | 第20页 |
| ·链状硅酸盐体系 | 第20页 |
| ·层状硅酸盐体系 | 第20页 |
| ·架状硅酸盐体系 | 第20-21页 |
| ·稀土离子的电子组态和激发方式 | 第21-26页 |
| ·稀土离子的电子组态 | 第21页 |
| ·稀土离子的激发方式 #lI | 第21-26页 |
| ·4f-4f跃迁 | 第22-23页 |
| ·4f-5d跃迁 | 第23-24页 |
| ·CTS吸收 | 第24页 |
| ·基质吸收与敏化发光 | 第24-26页 |
| ·第一原理计算理论基础 | 第26-32页 |
| ·Bonn-Oppenheimer近似与Hartree-Fock方法 | 第27-28页 |
| ·密度泛函理论(DFT) | 第28-29页 |
| ·赝势方法 | 第29-31页 |
| ·能带理论计算 | 第31-32页 |
| ·本论文的选题意义和论文结构 | 第32-36页 |
| 参考文献 | 第36-45页 |
| 第二章 实验 | 第45-57页 |
| ·样品的制备 | 第45-47页 |
| ·样品的制备方法 | 第45-46页 |
| ·试剂及实验设备 | 第46-47页 |
| ·试剂 | 第46-47页 |
| ·实验设备 | 第47页 |
| ·样品的测试与表征 | 第47-50页 |
| ·XRD | 第47-48页 |
| ·UV光谱 | 第48页 |
| ·VUV光谱 | 第48-49页 |
| ·IR光谱 | 第49页 |
| ·UV-VIS吸收-反射光谱 | 第49页 |
| ·ICP | 第49-50页 |
| ·计算软件介绍 | 第50-56页 |
| ·CASTEP模块介绍 | 第50-54页 |
| ·程序运行的主要步骤 | 第54-55页 |
| ·程序运行的参数设置 | 第55-56页 |
| 参考文献 | 第56-57页 |
| 第三章 Eu~(3+)掺杂的LiYSiO_4和Sr_2Mg_(1-x)Zn_xSi_2O_7(0≤x≤1)的UV-VUV发光性能及其基质电子结构研究 | 第57-82页 |
| ·引言 | 第57-59页 |
| ·实验 | 第59-60页 |
| ·结果与讨论 | 第60-78页 |
| ·LiYSiO_4:Eu~(3+)的制备与UV-VUV发光性能研究 | 第60-67页 |
| ·物相分析 | 第60页 |
| ·LiYSiO_4:Eu~(3+)的UV光谱特性及其选择激发 | 第60-62页 |
| ·LiYSiO_4:Eu~(3+)的VUV光谱特性及其基质电子结构研究 | 第62-67页 |
| ·Sr_2Mg_(1-x)Zn_xSi_2O_7:Eu~(3+)(0≤x≤1)的制备与UV-VUV发光性能研究 | 第67-78页 |
| ·样品制备 | 第67-69页 |
| ·Sr_2Mg_(1-x)Zn_xSi_2O_7:Eu~(3+)(0≤x≤1)的UV-VUV光谱性能研究 | 第69-71页 |
| ·Sr_2MgSi_2O_7和Sr_2ZnSi_2O_7的电子结构研究 | 第71-78页 |
| ·结论 | 第78-80页 |
| 参考文献 | 第80-82页 |
| 第四章 Eu~(2+)掺杂的Ba_2Mg_(1-x)Zn_xSi_2O_7(0≤x≤0.4)和CaMgSi_(2x)O_(6+2x)(1.00≤x≤1.20)的UV-VUV发光性能及其基质电子结构研究 | 第82-103页 |
| ·引言 | 第82-84页 |
| ·实验 | 第84页 |
| ·结果与讨论 | 第84-100页 |
| ·Ba_2Mg_(1-x)Zn_xSi_2O_7:Eu~(2+)(0≤x≤0.4)的制备及其UV-VUV发光性能研究 | 第84-93页 |
| ·物相分析 | 第84-85页 |
| ·UV-VUV光谱性质 | 第85-88页 |
| ·Ba_2MgSi_2O_7和Ba_2ZnSi_2O_7的电子结构研究 | 第88-93页 |
| ·CaMgSi_(2x)O_(6+2x):Eu~(2+)(1.00≤x≤1.20)的制备及其UV-VUV发光性能研究 | 第93-100页 |
| ·物相分析 | 第93-94页 |
| ·UV-VUV光谱性质及其基质电子结构研究 | 第94-100页 |
| ·结论 | 第100-101页 |
| 参考文献 | 第101-103页 |
| 第五章 SrB_2Si_2O_8:RE(RE=Eu~(3+),Eu~(2+),Tb~(3+),ce~(3+))的UV-VUV发光性能及其基质电子结构研究 | 第103-119页 |
| ·引言 | 第103-104页 |
| ·实验 | 第104页 |
| ·结果与讨论 | 第104-115页 |
| ·品体结构 | 第104-106页 |
| ·SrB_2Si_2O_8:RE(RE=Eu,Ce,Tb)的UV光谱性质 | 第106-115页 |
| ·SrB_2Si_2O_8:Eu的UV光谱性质 | 第106-109页 |
| ·SrB_2Si_2O_8:Ce~(3+)的UV光谱件质 | 第109-110页 |
| ·SrB_2Si_2O_8:Tb~(3+)的UV光谱性质 | 第110-111页 |
| ·SrB_2Si_2O_8:RE(RE=Eu,Ce,Tb)的VUV光谱性质及其基质电子结构研究 | 第111-115页 |
| ·结论 | 第115-117页 |
| 参考文献 | 第117-119页 |
| 第六章 新型荧光粉Na_3(Y,Gd)Si_3O_9:RE(RE=Tb~(3+),Eu~(3+))、M~(3+)_2Si_2O_7:Eu~(3+)(M=La,Y)、SrZrSi_2O_7:Eu~(3+)、Ca_2ZrSi_4O_(12):Eu~(3+)的制备及其UV-VUV发光性能研究 | 第119-145页 |
| ·Na_3(Y,Gd)Si_3O_9:RE(RE=Tb~(3+),Eu~(3+))的制备及其UV-VUV发光性能研究 | 第119-128页 |
| ·实验 | 第120页 |
| ·结果与讨论 | 第120-128页 |
| ·物相分析 | 第120-121页 |
| ·Na_3Y_(1-x)Gd_wSi_3O_9:xTb~(3+)(0.05≤x≤0.50,0≤w≤0.20)的UV-VUV发光性能研究 | 第121-124页 |
| ·Na_3Y_(1-x)Gd_wSi_3O_9:xEu~(3+)(0.05≤x≤0.70,0≤w≤0.20)的UV-VUV发光性能研究 | 第124-128页 |
| ·结论 | 第128页 |
| ·M~(3+)_2Si_2O_7:Eu~(3+)(M=La,Y)的制备及其UV-VUV发光性能研究 | 第128-138页 |
| ·实验 | 第129页 |
| ·结果与讨论 | 第129-137页 |
| ·物相分析 | 第129-130页 |
| ·UV-VUV发光性能研究 | 第130-132页 |
| ·La_2Si_2O_7和Y_2Si_2O_7的电子结构研究 | 第132-137页 |
| ·结论 | 第137-138页 |
| ·SrZrSi_2O_7:Eu~(3+)和Ca_2ZrSi_4O_(12):Eu~(3+)的制备及其发光性能研究 | 第138-143页 |
| ·实验 | 第138-139页 |
| ·结果与讨论 | 第139-142页 |
| ·物相分析 | 第139-140页 |
| ·SrZrSi_2O_7:Eu~(3+)的UV-VUV发光性能研究 | 第140-141页 |
| ·Ca_2ZrSi_4O_(12):Eu~(3+)的UV-VUV发光性能研究 | 第141-142页 |
| ·结论 | 第142-143页 |
| 参考文献 | 第143-145页 |
| 第七章 结论与展望 | 第145-149页 |
| ·结论 | 第145-148页 |
| ·展望 | 第148-149页 |
| 博士在读期间发表论文及申请专利 | 第149-150页 |
| 致谢 | 第150页 |
