| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-10页 |
| 第一章：文献综述和选题背景 | 第10-22页 |
| ·前言 | 第10-11页 |
| ·Si 的表面结构 | 第11-14页 |
| ·Si(100)-2×1 面的结构 | 第12-13页 |
| ·Si(111)-7×7 面的结构 | 第13-14页 |
| ·硅表面自组装分子的研究现状 | 第14-19页 |
| ·脂肪烃类有机分子对硅表面电子结构的影响 | 第15-17页 |
| ·共轭有机分子在硅表面的反应机制及界面性能 | 第17-19页 |
| ·界面的能级排列 | 第19-21页 |
| ·本论文的研究意义及其主要内容 | 第21-22页 |
| 第二章：第一性原理计算的理论原理 | 第22-31页 |
| ·密度泛函理论概述 | 第22-31页 |
| ·Hartree-Fock 近似 | 第23-26页 |
| ·Hohenberg-Kohn 定理 | 第26-27页 |
| ·Kohn-Sham 方程 | 第27-29页 |
| ·交换关联泛函 | 第29-31页 |
| 第三章 脂肪烃类有机分子修饰 Si(100)表面 | 第31-49页 |
| ·引言 | 第31页 |
| ·计算细节和模型 | 第31-34页 |
| ·结果与讨论 | 第34-48页 |
| ·不同吸附端(docking)/Si 界面电子结构研究 | 第34-44页 |
| ·不同链长烷烃/Si 界面电子结构研究 | 第44-48页 |
| ·本章小结 | 第48-49页 |
| 第四章 芳香烃类有机分子修饰 Si(100)表面 | 第49-61页 |
| ·引言 | 第49-50页 |
| ·计算细节和模型 | 第50-51页 |
| ·结果与讨论 | 第51-60页 |
| ·不同取代基对 Si 基功函数的影响 | 第52-55页 |
| ·不同吸附端（烯烃基/炔烃基）对界面电子结构的影响 | 第55-60页 |
| ·本章小结 | 第60-61页 |
| 结论 | 第61-63页 |
| 参考文献 | 第63-69页 |
| 攻读硕士学位期间取得的研究成果 | 第69-70页 |
| 致谢 | 第70-71页 |
| 附件 | 第71页 |