| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-10页 |
| 第1章 前言 | 第10-12页 |
| 第2章 文献综述 | 第12-28页 |
| ·ZnO的研究进展 | 第12-15页 |
| ·ZnO的基本物理化学性质 | 第12-14页 |
| ·ZnO的光电性质 | 第14-15页 |
| ·ZnO的缺陷与杂质 | 第15-23页 |
| ·ZnO中的本征点缺陷 | 第15-16页 |
| ·ZnO中的非故意掺杂 | 第16-17页 |
| ·ZnO的n型掺杂 | 第17-18页 |
| ·ZnO的p型掺杂 | 第18-23页 |
| ·ZnMgO合金及其p型掺杂 | 第23-26页 |
| ·ZnMgO合金 | 第23-26页 |
| ·ZnMgO合金的p型掺杂 | 第26页 |
| ·立题背景、目的和主要研究内容 | 第26-28页 |
| 第3章 实验设备、过程及性能评价方法 | 第28-35页 |
| ·直流反应磁控溅射(DCRMS)方法简介 | 第28-30页 |
| ·实验过程 | 第30-32页 |
| ·靶材的制备 | 第30页 |
| ·衬底的准备与清洗 | 第30-31页 |
| ·直流反应磁控溅射制备ZnO薄膜的过程 | 第31-32页 |
| ·几个实验中基本参数的控制及其影响 | 第32-34页 |
| ·靶基距 | 第32-33页 |
| ·溅射功率 | 第33-34页 |
| ·性能评价 | 第34-35页 |
| 第4章 Al-N共掺法制备p型Zn_(1-x)Mg_xO薄膜 | 第35-56页 |
| ·衬底温度对薄膜性能的影响 | 第35-42页 |
| ·结构分析 | 第36-37页 |
| ·表面形貌分析 | 第37-38页 |
| ·厚度测定 | 第38-39页 |
| ·电学性能分析 | 第39-41页 |
| ·p-ZnMgO薄膜导电类型的稳定性 | 第41-42页 |
| ·N_2O气体流量对薄膜电学性能的影响 | 第42-46页 |
| ·样品制备 | 第43页 |
| ·结构分析 | 第43页 |
| ·电学性能分析 | 第43-46页 |
| ·衬底类型对ZnMgO薄膜性能的影响 | 第46-49页 |
| ·样品制备 | 第46页 |
| ·结构分析 | 第46-47页 |
| ·表面形貌分析 | 第47-49页 |
| ·电学性能分析 | 第49页 |
| ·共掺对ZnMgO薄膜性能的影响 | 第49-55页 |
| ·共掺机理 | 第49-50页 |
| ·结构分析 | 第50-51页 |
| ·电学性能分析 | 第51-55页 |
| ·本章小结 | 第55-56页 |
| 第5章 Mg含量对薄膜禁带宽度的调节 | 第56-61页 |
| ·半导体禁带宽度的影响因素 | 第56-57页 |
| ·样品的制备 | 第57页 |
| ·薄膜光学性能分析 | 第57-60页 |
| ·本章小结 | 第60-61页 |
| 第6章 结论 | 第61-62页 |
| 参考文献 | 第62-72页 |
| 攻读硕士期间发表或录用的论文 | 第72-73页 |
| 致谢 | 第73页 |