| 第一章 序言 | 第1-10页 |
| 第二章 文献综述 | 第10-27页 |
| 2．1节 GaAs、InP基Ⅲ-V族化合物半导体材料应用背景 | 第10-12页 |
| 2．2节 分子束外延技术简介 | 第12-15页 |
| 2．2．1 MBE的由来 | 第12-13页 |
| 2．2．2 MBE的基本原理及特点 | 第13-14页 |
| 2．2．3 MBE的发展与现状 | 第14-15页 |
| 2．3节 分子束外延技术与异质结构材料及器件 | 第15-25页 |
| 2．3．1 异质结双极型晶体管 | 第16-18页 |
| 2．3．2 高电子迁移率晶体管 | 第18-21页 |
| 2．3．3 高效空间太阳电池 | 第21-25页 |
| 2．4节 国内现状与本文目的 | 第25-26页 |
| 2．5节 小结 | 第26-27页 |
| 第三章 GSMBE生长GaAs、InP基外延材料及特性表征 | 第27-53页 |
| 3．1节 V80H GSMBE系统简介 | 第27-30页 |
| 3．2节 GSMBE材料生长原理 | 第30-33页 |
| 3．3节 GaAs、InP基外延材料的物理性质与表征手段 | 第33-38页 |
| 3．4节 GaAs、InP材料的GSMBE生长及特性 | 第38-41页 |
| 3．4．1 衬底准备 | 第38-39页 |
| 3．4．2 GaAs、InP材料的生长 | 第39-41页 |
| 3．5节 GSMBE生长AlGaAs、InGaP异质外延及特性研究 | 第41-47页 |
| 3．5．1 异质外延组分与应变层临界厚度 | 第41-43页 |
| 3．5．2 AlGaAs/GaAs材料的GSMBE生长 | 第43-44页 |
| 3．5．3 InGaP/GaAs材料的GSMBE生长研究 | 第44-47页 |
| 3．6节 GSMBE生长InGaP/（In）GaAs p沟道调制掺杂结构材料研究 | 第47-52页 |
| 3．7节 小结 | 第52-53页 |
| 第四章 In_（0．49）Ga_（0．51）P/GaAs HBT材料生长、器件设计及器件工艺研究 | 第53-90页 |
| 4．1节 引言 | 第53-55页 |
| 4．2节 HBT的优点 | 第55-57页 |
| 4．2．1 HBT与硅晶体管的比较 | 第55-56页 |
| 4．2．2 HBT与场效应晶体管（FET）相比 | 第56-57页 |
| 4．3节 HBT器件物理基础 | 第57-69页 |
| 4．3．1 突变异质发射结空间电势分布 | 第57-60页 |
| 4．3．2 突变异质发射结HBT电流模型 | 第60-65页 |
| 4．3．3 几种改进的HBT结构模型 | 第65-69页 |
| 4．4节 In_（0．49）Ga_（0．51）P/GaAs HBT微结构材料设计与生长研究 | 第69-80页 |
| 4．4．1 结构参数的优化设计 | 第69-77页 |
| 4．4．2 材料生长与表征 | 第77-80页 |
| 4．5节 In_（0．49）Ga_（0．51）P/GaAs HBT器件制作与表征 | 第80-89页 |
| 4．5．1 器件工艺设计 | 第80-85页 |
| 4．5．2 性能表征与分析讨论 | 第85-89页 |
| 4．6节 小结 | 第89-90页 |
| 第五章 高效Al_（0．85）Ga_（0．15）As/GaAs太阳电池研究 | 第90-112页 |
| 5．1节 引言 | 第90-91页 |
| 5．2节 半导体太阳电池等效模型 | 第91-97页 |
| 5．2．1 pn结光伏效应 | 第91-93页 |
| 5．2．2 半导体太阳电池等效电路分析 | 第93-97页 |
| 5．3节 AlGaAs/GaAs太阳电池材料与器件结构 | 第97-101页 |
| 5．4节 AlGaAs/GaAs太阳电池器件工艺优化研究 | 第101-106页 |
| 5．4．1 电极制作 | 第101页 |
| 5．4．2 电极合金化 | 第101-102页 |
| 5．4．3 电极加厚工艺 | 第102-103页 |
| 5．4．4 高掺杂GaAs接触层的选择性腐蚀 | 第103-104页 |
| 5．4．5 减反射膜制备 | 第104-106页 |
| 5．5节 电池性能参数测试与分析 | 第106-111页 |
| 5．6节 小结 | 第111-112页 |
| 第六章 总结与展望 | 第112-114页 |
| 参考文献 | 第114-124页 |
| 参加科研项目情况 | 第124-125页 |
| 发表论文目录 | 第125-126页 |
| 个人简历 | 第126页 |
