| 中文摘要 | 第1-4页 |
| ABSTRACT | 第4-8页 |
| 第一章 绪论 | 第8-28页 |
| ·硅锗薄膜的基本性质 | 第10-20页 |
| ·SiGe 材料的基本性质 | 第10-19页 |
| ·SiGe 薄膜的优异特性 | 第19-20页 |
| ·硅锗薄膜制备方法的介绍 | 第20-24页 |
| ·制备SiGe 薄膜的物理方法 | 第20-22页 |
| ·制备SiGe 薄膜的化学方法 | 第22-24页 |
| ·硅锗薄膜的国内外研究现状 | 第24-25页 |
| ·SiGe/Si 异质结CMOS(HCMOS)的研究 | 第24页 |
| ·SiGe HBT 的研究 | 第24-25页 |
| ·SiGe 薄膜在太阳能电池方面的研究 | 第25页 |
| ·本论文的研究背景及目的 | 第25-28页 |
| 第二章 磁控溅射硅锗薄膜的原理及性能测试方法 | 第28-38页 |
| ·磁控溅射的溅射原理 | 第28-31页 |
| ·磁控溅射的原理 | 第28-29页 |
| ·磁控溅射的特点 | 第29页 |
| ·磁控溅射的分类 | 第29-30页 |
| ·磁控溅射的实验过程 | 第30-31页 |
| ·硅锗薄膜的结构表征 | 第31-38页 |
| ·X 射线衍射 | 第31-33页 |
| ·原子力学显微镜（AFM） | 第33-34页 |
| ·扫描电子显微镜(SEM) | 第34-35页 |
| ·拉曼光谱（Roman） | 第35-37页 |
| ·光致发光谱（PL） | 第37-38页 |
| 第三章 磁控溅射的沉积工艺对硅锗薄膜结晶性能的影响 | 第38-50页 |
| ·薄膜样品制备前的准备实验 | 第38-39页 |
| ·实验仪器及器材 | 第38页 |
| ·实验准备 | 第38-39页 |
| ·磁控溅射硅、锗单层膜的研究 | 第39页 |
| ·磁控溅射硅锗薄膜的性能参数的影响 | 第39-47页 |
| ·衬底温度对硅锗薄膜晶化及性能的影响 | 第40-43页 |
| ·压强对硅锗薄膜晶化及性能的影响 | 第43-45页 |
| ·偏压对硅锗薄膜晶化及性能的影响 | 第45-47页 |
| ·磁控溅射硅锗薄膜的能谱分析图 | 第47-48页 |
| ·小结 | 第48-50页 |
| 第四章 退火温度及时间对硅锗薄膜性能的影响 | 第50-56页 |
| ·样品的制备 | 第50页 |
| ·退火温度对硅锗薄膜性质的影响 | 第50-53页 |
| ·Roman 图谱分析 | 第50-51页 |
| ·AFM 分析 | 第51-53页 |
| ·退火时间对硅锗薄膜性质的影响 | 第53-54页 |
| ·Roman 分析 | 第53-54页 |
| ·SEM 形貌分析 | 第54页 |
| ·小结 | 第54-56页 |
| 第五章 溅射不同周期硅锗薄膜的 PL 谱的研究 | 第56-60页 |
| ·样品的制备 | 第56页 |
| ·溅射不同周期硅锗薄膜的性能的影响 | 第56-59页 |
| ·XRD 衍射图谱分析 | 第56-57页 |
| ·SEM 形貌分析 | 第57-58页 |
| ·PL 谱的分析 | 第58-59页 |
| ·小结 | 第59-60页 |
| 第六章 结论 | 第60-62页 |
| 参考文献 | 第62-68页 |
| 致谢 | 第68-69页 |
| 攻读学位期间发表的学术论文目录 | 第69-70页 |