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电化学法制备镁盐晶须及第一性原理研究

摘要第1-5页
ABSTRACT第5-11页
第一章 文献综述第11-27页
   ·引言第11-13页
   ·一维纳米材料第13-18页
     ·一维纳米材料的研究进展第13-14页
     ·一维纳米材料的特性第14-16页
     ·一维纳米材料的制备方法第16-18页
   ·硼酸镁晶须第18-20页
     ·硼酸镁晶须的结构、性能及应用第18-19页
     ·硼酸镁晶须的合成方法第19-20页
   ·硅酸镁晶须第20-21页
   ·晶须的生长机理第21-23页
   ·第一性原理第23-24页
   ·本论文研究思路、研究内容及创新性第24-27页
     ·本论文研究思路第24页
     ·本论文研究内容第24-25页
     ·创新性第25-27页
第二章 实验部分第27-35页
   ·实验仪器及试剂第27-28页
   ·电极的预处理第28-30页
   ·电解液的配置第30页
   ·电解第30-31页
   ·样品干燥第31页
   ·样品的表征第31-35页
     ·扫描电子显微镜(SEM)表征第31页
     ·X射线能谱分析(EDS)表征第31-32页
     ·X射线衍射(XRD)表征第32页
     ·红外光谱分析(IR)表征第32页
     ·热重差热分析(TG-DTA)表征第32-35页
第三章 硼酸镁晶须的制备和表征第35-57页
   ·引言第35页
   ·实验部分第35-36页
     ·晶须的制备第35页
     ·晶须的表征第35-36页
   ·结果与讨论第36-53页
     ·扫描电子显微镜(SEM)表征第36页
     ·X射线衍射(XRD)表征第36-38页
     ·X射线能谱分析(EDS)表征第38-39页
     ·红外光谱分析(IR)表征第39-40页
     ·热重差热分析(TG-DTA)表征第40-41页
     ·循环伏安分析第41-42页
     ·影响因素第42-53页
   ·晶须生长动力学第53-55页
     ·电极过程第53页
     ·毒化机理探讨第53-55页
   ·本章小结第55-57页
第四章 硅酸镁晶须的制备和表征第57-65页
   ·引言第57页
   ·实验部分第57-58页
   ·结果与讨论第58-63页
     ·毒化剂的影响第58-59页
     ·电流密度的影响第59-60页
     ·硅酸镁晶须的XRD分析第60-61页
     ·硅酸镁晶须的EDS分析第61页
     ·硅酸镁晶须的IR分析第61-62页
     ·硅酸镁晶须的TG分析第62-63页
   ·本章小结第63-65页
第五章 硼酸镁和硅酸镁晶须第一性原理研究第65-73页
   ·引言第65页
   ·计算模型和方法第65-67页
     ·计算模型第65-66页
     ·计算方法与性能第66-67页
   ·计算结果与讨论第67-72页
     ·硼酸镁和硅酸镁晶体的晶格常数第67页
     ·硼酸镁晶须的电子结构第67-70页
     ·硅酸镁晶须的电子结构第70-72页
   ·小结第72-73页
第六章 结论和建议第73-75页
   ·结论第73-74页
   ·建议第74-75页
参考文献第75-83页
致谢第83-84页
硕士期间所发表的学术论文及专利第84页

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