| 摘要 | 第1-6页 |
| ABSTRACT | 第6-9页 |
| 目录 | 第9-11页 |
| 第一章 文献综述 | 第11-24页 |
| ·化学机械抛光技术的产生、现状及发展趋势 | 第11-18页 |
| ·集成电路的发展对高品质硅片的需求 | 第11页 |
| ·化学机械抛光技术的产生 | 第11-14页 |
| ·化学机械抛光技术的研究与发展 | 第14-18页 |
| ·化学机械抛光中的电化学研究 | 第18页 |
| ·化学机械抛光机理研究 | 第18-22页 |
| ·化学机械抛光存在的问题 | 第22页 |
| ·本文研究内容及意义 | 第22-24页 |
| 第二章 实验方法与装置 | 第24-27页 |
| ·实验材料 | 第24页 |
| ·主要测试及分析仪器 | 第24-25页 |
| ·实验装置 | 第25页 |
| ·实验方法 | 第25-27页 |
| 第三章 硅的基本性质 | 第27-31页 |
| ·硅的基本性质及其应用 | 第27-29页 |
| ·硅水体系 E-pH 图 | 第29-31页 |
| 第四章 半导体硅片在纳米 SiO_2 浆料中的腐蚀成膜特性 | 第31-49页 |
| ·电极极化基本理论 | 第31-32页 |
| ·交流阻抗的基本理论 | 第32-33页 |
| ·腐蚀成膜的影响因素 | 第33-45页 |
| ·浆料 pH 值的影响 | 第34-39页 |
| ·SiO_2 固含量的影响 | 第39-40页 |
| ·成膜时间的影响 | 第40-42页 |
| ·H_2O_2 浓度的影响 | 第42-45页 |
| ·硅片的成膜机理 | 第45-47页 |
| ·本章小结 | 第47-49页 |
| 第五章 半导体硅片化学机械抛光过程中的电化学行为 | 第49-71页 |
| ·抛光过程中的极化曲线 | 第49-65页 |
| ·抛光压力的影响 | 第49-55页 |
| ·抛光转速的影响 | 第55-58页 |
| ·SiO_2 固含量的影响 | 第58-61页 |
| ·浆料 pH 值的影响 | 第61-63页 |
| ·H_2O_2 浓度的影响 | 第63-65页 |
| ·抛光过程中腐蚀电位的变化 | 第65-69页 |
| ·本章小结 | 第69-71页 |
| 第六章 半导体硅片抛光速率及机理研究 | 第71-84页 |
| ·抛光压力对抛光速率的影响 | 第71-73页 |
| ·抛光转速对抛光速率的影响 | 第73-74页 |
| ·SiO_2 固含量对抛光速率的影响 | 第74-76页 |
| ·浆料 pH 值对抛光速率的影响 | 第76-77页 |
| ·H_2O_2 浓度对抛光速率的影响 | 第77-78页 |
| ·抛光时间对抛光速率的影响 | 第78-79页 |
| ·硅片的抛光机理 | 第79-82页 |
| ·本章小结 | 第82-84页 |
| 第七章 结论 | 第84-85页 |
| 参考文献 | 第85-92页 |
| 致谢 | 第92-93页 |
| 攻读硕士学位期间主要的研究成果 | 第93-94页 |