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电场作用下Mo-C-Si系SHS过程的数值模拟

摘要第1-4页
ABSTRACT第4-6页
1 绪论第6-18页
   ·课题研究目的和意义第6-8页
   ·MOSI_2 及其复合材料的发展概况第8-10页
   ·自蔓延高温合成(SHS)技术的发展概况第10-13页
   ·计算机模拟技术的发展概况第13-16页
   ·计算机模拟SHS 过程的发展概况第16-17页
   ·本文主要研究内容和目标第17-18页
2 电场作用下SHS 过程数理模型的建立第18-25页
   ·数理模型的建立第18-21页
   ·数学模型中各耦合项的计算第21-23页
   ·数学模型的边界条件及处理第23-24页
   ·本章小结第24-25页
3 电场作用下MO-C-SI 系的SHS 过程数值模拟第25-50页
   ·数学模型的离散化第25-32页
   ·计算机数值模拟程序的实现第32-47页
   ·SHS 过程二维动态模拟第47-48页
   ·模拟程序的评价第48-49页
   ·本章小结第49-50页
4 结论第50-51页
致谢第51-52页
参考文献第52-58页
附录 1 攻读硕士学位期间发表论文第58-59页
附录 2 模拟程序关键部分源代码第59-84页

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