180纳米工艺嵌入式每单元存储双比特数据的闪存程序存储器设计
| 摘要 | 第1-4页 |
| ABSTRACT | 第4-8页 |
| 第一章 绪论 | 第8-18页 |
| ·引言 | 第8页 |
| ·半导体存储器件的分类 | 第8-9页 |
| ·几种常见的半导体存储器件 | 第9-11页 |
| ·快闪存储器的特点及发展趋势 | 第11-12页 |
| ·快闪存储器的类型 | 第12-15页 |
| ·研究的内容和章节安排 | 第15-18页 |
| 第二章一种新型的快闪存储器的设计 | 第18-29页 |
| ·概述 | 第18-19页 |
| ·每单元双位技术的存储单元的主要特点 | 第19页 |
| ·每单元双位技术的存储单元的写操作 | 第19-20页 |
| ·每单元双位技术的存储单元的擦操作 | 第20-21页 |
| ·每单元双位技术的存储单元的读取操作 | 第21-22页 |
| ·存储单元的读写擦模式的架构设计 | 第22-27页 |
| ·快闪存储器的组成部分 | 第27-28页 |
| ·本章小结 | 第28-29页 |
| 第三章 存储单元阵列的结构设计 | 第29-39页 |
| ·概述 | 第29-31页 |
| ·快闪存储器阵列的组成部分：扇区 | 第31页 |
| ·以往的扇区结构设计 | 第31-33页 |
| ·改进的扇区结构设计 | 第33-36页 |
| ·扇区阵列设计 | 第36-38页 |
| ·本章小结 | 第38-39页 |
| 第四章 解码电路的设计 | 第39-55页 |
| ·概述 | 第39页 |
| ·存储单元阵列的位图 | 第39-40页 |
| ·字线的电容和电阻 | 第40-44页 |
| ·位线的电阻和电容 | 第44-45页 |
| ·字线解码电路的初步设计 | 第45-46页 |
| ·字线解码电路的改进设计 | 第46-51页 |
| ·字线解码电路的仿真 | 第51-52页 |
| ·位线解码电路的设计 | 第52-54页 |
| ·位线解码电路的仿真 | 第54-55页 |
| 第五章 逻辑电路的设计 | 第55-63页 |
| ·存储单元写操作的机制 | 第55-56页 |
| ·存储单元擦操作的机制 | 第56-57页 |
| ·状态机 | 第57-58页 |
| ·状态机基本功能电路的设计 | 第58-60页 |
| ·状态机的设计及仿真 | 第60-62页 |
| ·本章小结 | 第62-63页 |
| 第六章 总结 | 第63-65页 |
| 参考文献 | 第65-67页 |
| 致谢 | 第67-68页 |
| 攻读学位期间发表的学术论文目录 | 第68-70页 |
