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八面体中3d~9离子自旋哈密顿参量的理论研究

摘 要第1-5页
ABSTRACT第5-8页
第一章 绪论第8-11页
   ·本研究的价值和意义第8页
   ·3d~9离子顺磁共振研究现状第8-9页
   ·本文的研究方法第9-11页
第二章 晶体场和电子顺磁共振的基本理论第11-27页
   ·晶体场理论第11-20页
     ·晶体场理论简介第11-14页
     ·晶场耦合图象第14-16页
     ·晶场能级分裂第16-18页
     ·能量矩阵的建立和晶场矩阵元的计算第18-19页
     ·晶场参量的计算第19-20页
   ·电子顺磁共振理论第20-27页
     ·电子顺磁共振简介第20-21页
     ·电子顺磁共振基本原理第21-22页
     ·电子顺磁共振谱的描述:自旋哈密顿参量第22-24页
     ·电子顺磁共振的自旋哈密顿理论第24-27页
第三章 八面体晶场中3d~9离子的 EPR 参量理论研究第27-36页
   ·D_(4h)下3d~9离子的晶场势和晶场能级分裂第27-29页
   ·体系哈密顿量第29-30页
   ·微扰公式的建立第30-36页
     ·不考虑配体旋轨耦合时 D_(4h)下3d~9离子的自旋哈密顿参量公式第30-31页
     ·考虑配体旋轨耦合时 D_(4h)下3d~9离子的自旋哈密顿参量公式第31-36页
第四章 应用第36-44页
   ·LaSrAlO_4中 Cu~(2+)的自旋哈密顿参量及缺陷结构的理论分析第36-40页
     ·计算第36-38页
     ·讨论第38-40页
   ·K_2PdX_4(X=CL,Br,I)中 Cu~(2+)自旋哈密顿参量的理论分析第40-44页
     ·计算第40-42页
     ·讨论第42-44页
第五章 主要结论第44-46页
致谢第46-47页
参考文献第47-54页
攻硕期间取得的研究成果第54页

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