| 第一章 绪论 | 第1-12页 |
| ·半导体激光器的发展与特点 | 第8-9页 |
| ·脉冲半导体激光器驱动电源的意义及国内外现状 | 第9-11页 |
| ·课题的主要研究内容 | 第11-12页 |
| 第二章 半导体激光器的工作原理及其对驱动电源的要求 | 第12-20页 |
| ·半导体激光器的工作原理 | 第12-15页 |
| ·半导体中的能带及电子在能带之间的跃迁 | 第12-13页 |
| ·半导体激光器的基本工作原理 | 第13-15页 |
| ·激光二极管的特性 | 第15-17页 |
| ·半导体激光器的I～V特性和P～I特性 | 第15-16页 |
| ·激光器二极管的I～V特性 | 第15-16页 |
| ·激光二极管的输出光功率与电流的关系 | 第16页 |
| ·激光二极管的效率 | 第16页 |
| ·购置激光二极管的性能指标 | 第16-17页 |
| ·半导体激光器对电源的要求 | 第17-18页 |
| ·研究方法和技术路线 | 第18-20页 |
| 第三章 高功率短脉冲半导体激光器驱动电源的设计 | 第20-52页 |
| ·半导体激光器驱动电源的技术指标 | 第20页 |
| ·半导体激光器驱动电源的整体设计方案 | 第20-21页 |
| ·触发脉冲产生电路 | 第21-31页 |
| ·单片机控制的信号发生器 | 第21-28页 |
| ·压控模拟信号发生器的组成与工作原理 | 第22-24页 |
| ·单片机压控方波信号发生器的电压控制部分 | 第24-27页 |
| ·单片机控制的测频和显示部分 | 第27-28页 |
| ·脉冲整形电路 | 第28-31页 |
| ·纳秒脉冲生成电路 | 第31-38页 |
| ·纳秒脉冲产生电路的方案选择 | 第31页 |
| ·雪崩晶体管的工作原理及选取 | 第31-33页 |
| ·纳秒脉冲形成电路 | 第33-38页 |
| ·触发脉冲陡化电路 | 第33-35页 |
| ·MarxBank电路 | 第35-38页 |
| ·高压直流稳压源及辅助电源 | 第38-48页 |
| ·直流稳压源工作原理 | 第38-43页 |
| ·变压器 | 第39页 |
| ·整流电路 | 第39-40页 |
| ·滤波电路 | 第40-41页 |
| ·稳压电路 | 第41-43页 |
| ·高压直流稳压电源 | 第43-44页 |
| ·数字电压表 | 第44-48页 |
| ·低压直流稳压电源 | 第48页 |
| ·抗干扰措施 | 第48-50页 |
| ·散热考虑 | 第50-52页 |
| 第四章 信号发生器和测频电路的软件设计 | 第52-57页 |
| ·系统软件的设计方案 | 第52-55页 |
| ·软件设计中应当注意的问题 | 第55-57页 |
| 第五章 结果与分析 | 第57-66页 |
| ·实际测量结果 | 第57-59页 |
| ·数据分析 | 第59-66页 |
| 第六章 结论与展望 | 第66-67页 |
| 参考文献 | 第67-71页 |
| 在校期间论文发表情况 | 第71-72页 |
| 致谢 | 第72页 |