摘要 | 第1-5页 |
ABSTRACT | 第5-7页 |
目录 | 第7-10页 |
第一章 绪论 | 第10-22页 |
·引言 | 第10-11页 |
·研究TiO_2压敏陶瓷材料的意义 | 第11-12页 |
·TiO_2压敏陶瓷的国内外研究进展及现状 | 第12-13页 |
·TiO_2压敏陶瓷的晶界偏析现象 | 第13-19页 |
·晶界偏析的主要研究方法 | 第14-16页 |
·第一性原理计算 | 第14-15页 |
·经验模型 | 第15页 |
·实验研究 | 第15-16页 |
·晶界偏析的研究进展 | 第16-17页 |
·第一性原理计算方面 | 第16-17页 |
·经验模型和实验研究方面 | 第17页 |
·晶界偏析的影响因素 | 第17-19页 |
·掺杂离子 | 第17-18页 |
·烧结温度 | 第18页 |
·氧分压 | 第18页 |
·晶粒尺寸 | 第18-19页 |
·晶界面能量 | 第19页 |
·本课题研究的来源及目的 | 第19-20页 |
·本论文的研究内容及意义 | 第20-22页 |
第二章 理论基础 | 第22-42页 |
·TiO_2晶体结构 | 第22-24页 |
·基本物理原理 | 第24-30页 |
·TiO_2压敏陶瓷的微观结构 | 第24-25页 |
·TiO_2压敏陶瓷的Ⅰ——Ⅴ特性 | 第25-26页 |
·TiO_2压敏陶瓷的导电机理 | 第26-30页 |
·双肖特基势垒模型 | 第27-28页 |
·晶粒与粒界层的导电性质 | 第28-29页 |
·双肖特基势垒 | 第29-30页 |
·偏析热力学 | 第30-34页 |
·缺陷化学 | 第34-42页 |
·热缺陷 | 第34-36页 |
·杂质缺陷 | 第36-38页 |
·组份缺陷 | 第38-42页 |
第三章 TiO_2压敏陶瓷的晶界偏析模拟与实验验证 | 第42-60页 |
·TiO_2压敏陶瓷的晶界偏析模拟 | 第42-53页 |
·化学计量比的不掺杂TiO_2压敏陶瓷 | 第42-45页 |
·还原气氛的不掺杂TiO_2压敏陶瓷 | 第45-47页 |
·单施主掺杂的TiO_2压敏陶瓷 | 第47-49页 |
·单受主掺杂的TiO_2压敏陶瓷 | 第49-50页 |
·存在弹性应变能的Y掺杂TiO_2压敏陶瓷 | 第50-53页 |
·TiO_2压敏陶瓷的晶界偏析模拟实验验证 | 第53-60页 |
·不掺杂的TiO_2压敏陶瓷 | 第53-55页 |
·单掺杂的TiO_2压敏陶瓷 | 第55-60页 |
·单掺施主Nb | 第55-58页 |
·单掺受主La | 第58-60页 |
第四章 TiO_2压敏陶瓷晶界结构初步研究 | 第60-79页 |
·晶界结构 | 第60页 |
·晶界结构理论研究的发展 | 第60-62页 |
·晶界结构研究的方法 | 第62-66页 |
·透射电子显微镜(Transmission Electron microscope,TEM) | 第63-65页 |
·原子力显微镜(Atomic Force Microscopy,AFM) | 第65-66页 |
·结果与分析 | 第66-79页 |
·TiO_2压敏陶瓷样品晶界的TEM像 | 第66-71页 |
·TiO_2压敏陶瓷样品晶界的AFM像 | 第71-74页 |
·晶界能的理论推导 | 第74-79页 |
第五章 结论 | 第79-80页 |
致谢 | 第80-81页 |
参考文献 | 第81-92页 |
附录1 | 第92-93页 |
附录2 | 第93页 |