| 第一章 绪论 | 第1-16页 |
| §1．1 薄膜及其应用 | 第8-11页 |
| §1．2 集成电路的基本结构 | 第11-12页 |
| §1．3 金属内连导线材料的要求和性能比较 | 第12-14页 |
| §1．4 薄膜中的晶粒生长及织构变化 | 第14-16页 |
| 第二章 薄膜中的异常晶粒生长理论及能量各向异性分析 | 第16-21页 |
| §2．1 异常晶粒生长理论模型 | 第16-18页 |
| §2．2 能量各向异性分析 | 第18-21页 |
| §2．2．1 晶界能 | 第18-20页 |
| §2．2．2 表面能 | 第20页 |
| §2．2．3 膜-基界面能 | 第20-21页 |
| 第三章 界面能计算 | 第21-30页 |
| §3．1 改进嵌入原子法(MEAM) | 第21-23页 |
| §3．2 界面能的计算 | 第23-27页 |
| §3．3 扭转界面重合位置点阵的确定 | 第27-29页 |
| §3．4 扭转界面的周期性 | 第29-30页 |
| 第四章 计算结果及分析 | 第30-47页 |
| §4．1 Ag／Si扭转界面 | 第30-40页 |
| §4．2 Au／Si扭转界面 | 第40-42页 |
| §4．3 Al／Si扭转界面 | 第42-44页 |
| §4．4 Cu／Si扭转界面 | 第44-47页 |
| 总结 | 第47-48页 |
| 参考文献 | 第48-52页 |
| 附录 | 第52-72页 |
| 致谢 | 第72-73页 |
| 攻读学位期间的研究成果 | 第73-74页 |