| 中文摘要 | 第1-7页 |
| 英文摘要 | 第7-11页 |
| 1 绪 论 | 第11-21页 |
| ·问题的提出及研究意义 | 第11-13页 |
| ·问题的提出 | 第11-13页 |
| ·研究的意义 | 第13页 |
| ·国内外研究现状 | 第13-19页 |
| ·国外研究现状 | 第13-18页 |
| ·国内研究现状 | 第18-19页 |
| ·本文研究的目的和研究内容 | 第19页 |
| ·本章小结 | 第19-21页 |
| 2 RF MEMS开关与放大器结构设计与理论分析 | 第21-59页 |
| ·引 言 | 第21页 |
| ·RF MEMS开关结构设计与理论分析 | 第21-40页 |
| ·RF MEMS 开关结构设计 | 第21-22页 |
| ·RF MEMS 开关力学理论 | 第22-30页 |
| ·RF MEMS开关力学特性模拟与分析 | 第30-37页 |
| ·RF MEMS开关的微波结构设计与分析 | 第37-40页 |
| ·RF MEMS开关放大器设计与模拟分析 | 第40-53页 |
| ·RFMEMS开关放大器电路设计 | 第41-43页 |
| ·平面螺旋电感设计与分析 | 第43-53页 |
| ·RF MEMS开关与放大器的封装设计分析 | 第53-57页 |
| ·微带线损耗 | 第53-55页 |
| ·微带线欧姆损耗 | 第55-56页 |
| ·微带线辐射损耗 | 第56-57页 |
| ·本章小结 | 第57-59页 |
| 3 RFMEMS开关与放大器关键技术研究 | 第59-77页 |
| ·引言 | 第59页 |
| ·表面牺牲层刻蚀技术研究 | 第59-61页 |
| ·二氧化硅牺牲层刻蚀技术研究 | 第59-60页 |
| ·聚酰亚胺牺牲层刻蚀技术研究 | 第60-61页 |
| ·应力释放技术研究 | 第61-64页 |
| ·金属铝层之间的导通电阻降低技术研究 | 第64-66页 |
| ·导通电阻测试结构考虑 | 第64-65页 |
| ·实验结构与分析 | 第65-66页 |
| ·RF MEMS开关与IC衬底兼容技术研究 | 第66-75页 |
| ·硅干法深槽刻蚀技术研究 | 第68-71页 |
| ·硅湿法深槽刻蚀技术研究 | 第71-75页 |
| ·本章小结 | 第75-77页 |
| 4 RF MEMS开关与放大器的研制 | 第77-89页 |
| ·引言 | 第77页 |
| ·RF MEMS开关与放大电路版图设计 | 第77-82页 |
| ·RF MEMS开关的版图设计 | 第77-80页 |
| ·放大电路的版图设计 | 第80-82页 |
| ·多晶硅RF MEMS开关的研制 | 第82-85页 |
| ·金属膜桥式RF MEMS CPW开关的研制 | 第85-87页 |
| ·单片集成化的RF MEMS开关放大器技术研究 | 第87-88页 |
| ·本章小结 | 第88-89页 |
| 5 RF MEMS开关与放大器样品测试分析 | 第89-99页 |
| ·引言 | 第89页 |
| ·多晶硅RF MEMS开关的测试分析 | 第89-91页 |
| ·金属膜桥式的RF MEMS CPW开关的测试与分析 | 第91-96页 |
| ·金属膜桥式的RF MEMS CPW开关的测试技术研究 | 第91-94页 |
| ·RF MEMS开关的测试分析 | 第94-96页 |
| ·RF MEMS开关放大器测试与分析 | 第96-98页 |
| ·本章小结 | 第98-99页 |
| 6 结论与展望 | 第99-101页 |
| ·结论 | 第99-100页 |
| ·展望 | 第100-101页 |
| 致 谢 | 第101-103页 |
| 参考文献 | 第103-113页 |
| 附 录 | 第113-115页 |